Transistor MOSFET discret IGBT N-ch 650V 34.6A de transistor du semi-conducteur SPW35N60C3 de puissance d'IGBT CoolMOS

Number modèle:SPW35N60C3
Quantité d'ordre minimum:Négociable
Conditions de paiement:T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:Quantité disponible 30000 morceaux
Délai de livraison:Négociable
Modèle de produit:NGTB40N120SWG
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Gamme de produits
  • Transistor MOSFET discret N-ch 650V 34.6A TO247-3 des semi-conducteurs SPW35N60C3 d'IGBT CoolMOS

Caractéristiques d'appli

  • Nouvelle technologie haute tension révolutionnaire
  • Charge très réduite de porte
  • L'avalanche périodique a évalué
  • Le dv extrême /dt a évalué
  • Capacités efficaces très réduites
  • Transconductance amélioré
Données de base
Attribut de produitValeur d'attribut
Infineon
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
RoHS :Détails
SI
Par le trou
TO-247-3
N-canal
La 1 Manche
600 V
34,6 A
100 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,1 V
150 OR
- 55 C
+ 150 C
313 W
Amélioration
CoolMOS
Tube
Marque :Infineon Technologies
Configuration :Simple
Temps de chute :10 NS
Transconductance en avant - minute :36 S
Taille :21,1 millimètres
Longueur :16,13 millimètres
Type de produit :Transistor MOSFET
Temps de montée :5 NS
Série :CoolMOS C3
240
Sous-catégorie :Transistors MOSFET
Type de transistor :1 N-canal
Temps de retard d'arrêt typique :70 NS
Temps de retard d'ouverture typique :10 NS
Largeur :5,21 millimètres
Partie # noms d'emprunt :SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1
Poids spécifique :0,211644 onces
FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
  • Transistor MOSFET discret N-ch 650V 34.6A TO247-3 des semi-conducteurs SPW35N60C3 d'IGBT CoolMOS
Application
  • Très utilisé dans l'étape, concert, communication de réseau, Smartphones marque sur tablette des ordinateurs portables que les carnets actionnent le boîtier de protection de caméras d'adaptateurs
Processus d'ordre

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Circuits intégrés IC
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STM32F042K6U7STM32F042G4U6STM32F042F4P6STM32F042C6U7STM32F042K6T7
Chip Diagram

China Transistor MOSFET discret IGBT N-ch 650V 34.6A de transistor du semi-conducteur SPW35N60C3 de puissance d'IGBT CoolMOS supplier

Transistor MOSFET discret IGBT N-ch 650V 34.6A de transistor du semi-conducteur SPW35N60C3 de puissance d'IGBT CoolMOS

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