Bâti extérieur électronique TO-277A de la diode 100V 3A du composant RBQ3RSM10BTL1
Number modèle:RBQ3RSM10BTL1
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces
Type de diode:Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max):100V
Courant - Moyenne redressée (Io):3A
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Shenzhen China
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Bti extérieur TO-277A de Schottky 100 V 3A de la diode RBQ3RSM10BTL1
Diodes de barrière de RBQx Schottky de semi-conducteur de ROHM
Les diodes de barrière de RBQx Schottky de semi-conducteur de ROHM sont AEC-Q101 ont qualifié la haut-fiabilité bas IDiodes de R pour la rectification générale. Ces diodes comportent un type de moule de puissance, type commun de cathode le double, et la structure planaire épitaxiale de silicium. Les diodes de barrière de RBQx Schottky sont stockées -55°C la température ambiante 150°C. Ces diodes fonctionnent la température de jonction 150°C et au courant de montée subite de la crête 100A en avant. Les diodes de barrière de RBQx Schottky sont idéales pour l'usage dans l'alimentation d'énergie de changement.
CARACTÉRISTIQUES
- Fiabilité élevée
- Type de moule de puissance
- Structure planaire épitaxiale de silicium
- Type commun de cathode double
- Bas jeR
CARACTÉRISTIQUES
- la température de jonction 150°C
- -55°C la température ambiante de température de stockage 150°C
- courant de montée subite en avant de la crête 100A
Bâti extérieur électronique TO-277A de la diode 100V 3A du composant RBQ3RSM10BTL1
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