Relais à semi-conducteur de carte PCB de G3VM-61MT TR01 avec le bas courant de fuite

Number modèle:G3VM-61MT (TR01)

Quantité d'ordre minimum:50pcs

Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces

Type de sortie:C.A., C.C

Tension - Entrée:2.4VDC

Tension - Charge:0 V | 60 V

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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Fournisseur Vérifié

Shenzhen China

Adresse: Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen

dernière connexion fois fournisseur: dans 23 heures

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Relais semi-conducteur de G3VM-61MT (TR01) - relais de transistor MOSFET de bti de carte PCB en paquet de module avec le courant très bas de fuite

Modules de relais de transistor MOSFET de l'électronique G3VM-MT d'Omron

Les modules de relais de transistor MOSFET de l'électronique G3VM-MT d'Omron offrent la mesure haute précision et améliorent la productivité des composants électroniques. Les relais comportent une dimension compacte se composante de structure de type t de circuit et un plus long cycle de vie. La structure de circuit se compose de trois relais de transistor MOSFET qui aident ramener la fuite actuelle un niveau minimal sans affecter l'exactitude. Ces modules sont les variantes 21MT, 61MT, et 101MT disponibles. Le G3VM-MT permet les signaux de changement de mesure dans l'équipement de test a principalement employé pour réaliser les essais électriques pour des dispositifs de semi-conducteur.

CARACTÉRISTIQUES

Contribue réduire l'espace de montage sur la carte d'impression par le petit paquet
La fuite actuelle quand piquez-vous est ouverte et ligne sous est étroite : 1pA (maximum) V=20V

Forme de contact : 1A (SPST-NO) + fonction de T-commutateur
Surface-support