Fossé IGBT 650V 80A 375W d'arrêt de champ FGHL75T65MQDTL4 par le trou TO-247-4L

Number modèle:FGHL75T65MQDTL4

Quantité d'ordre minimum:50pcs

Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces

Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max):650V

Courant - Collecteur (Ic) (Max):80 A

Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées):300 A

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HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited

Fournisseur Vérifié

Shenzhen China

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Arrêt de champ de fossé de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 650 V 80 A 375 W par le trou TO-247-4L

fossé IGBTs de l'onsemi FGHL75T65MQDTx

le fossé IGBTs de l'onsemi FGHL75T65MQDTx sont 4mi-vitesse IGBTs de génération de Th bourré de technologies avec la diode actuelle entièrement évaluée. Les FGHL75T65MQDTx IGBTs fonctionnent la température de jonction 175°C maximum, au collecteur 650V la tension d'émetteur, et au courant de collecteur 75A. Ces IGBTs comportent le coefficient de température positif pour l'opération parallèle facile, la capacité forte intensité, la commutation douce et optimisée, et la distribution serrée de paramètre. Le FGHL75T65MQDT est construit dans un paquet de TO247-3L et le FGHL75T65MQDTL4 IGBT est construit dans un paquet de TO247-4L. Ces IGBTs sont idéal pour des applications dans les inverseurs solaires, l'UPS, l'ESS, le PFC, et des convertisseurs.