Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L
Number modèle:FGH4L40T120LQD
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max):1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max):80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées):160 A
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Shenzhen China
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Arrêt de champ de fossé de FGH4L40T120LQD IGBT 1200 V 80 A 306 W par le trou TO-247-4L
onsemi FGH4L40T120LQD IGBT
l'onsemi FGH4L40T120LQD IGBT est ultra une construction robuste de fossé d'arrêt de champ qui fournit la représentation supérieure dans des applications de changement exigeantes. Cet IGBT est incorporé au dispositif qui est une diode indépendante Co-emballée molle et rapide avec une basse tension en avant. Le FGH4L40T120LQD IGBT offre les deux la basse tension de sur-état et la perte de changement minimale. Cet IGBT fonctionne la température de jonction 175°C maximum. Le FGH4L40T120LQD IGBT fonctionne 1200V, 40A, et est construit dans un paquet de TO247 4L. Les applications typiques incluent les inverseurs solaires et l'UPS, la commutation industrielle, et la soudure.
CARACTÉRISTIQUES
- Fossé extrêmement efficace avec la technologie d'arrêt de champ
- la température de jonction 175°C maximum (TJ)
- Diode inverse rapide et molle de récupération
- Optimisé pour bas VCE(SAT)
- tension de collecteur-émetteur 1200V maximum (VCE)
APPLICATIONS
- Inverseur solaire et UPS
- Commutation industrielle
- Soudure
CONNEXION DE PIN
CARACTÉRISTIQUES DE CHARGE DE PORTE
Module 1200V 80A 306W de transistor de FGH4L40T120LQD IGBT par le trou TO-247-4L
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