Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4
Number modèle:FGHL75T65LQDTL4
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max):650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max):80 A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées):300 A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:1.35V @ 15V, 75A
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Shenzhen China
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Détails du produit
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Détails du produit
FGHL75T65LQDTL4 FS4 BAS VCESAT IGBT 650V 75A TO2
| Attributs de produit | |
| TYPE | DESCRIPTION |
| Catégorie | Produits semiconducteurs discrets |
| Transistors - IGBTs - simples | |
| Mfr | onsemi |
| Série | - |
| Paquet | Tube |
| Statut de produit | Actif |
| Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 650 V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 80 A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 300 A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 1.35V @ 15V, 75A |
| Puissance - maximum | 469 W |
| Énergie de changement | 1.01mJ (dessus), 2.53mJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 779 OR |
| °C 25 du TD ("Marche/Arrêt") @ | 40ns/548ns |
| Condition d'essai | 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 87 NS |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet/cas | TO-247-4 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247-4L |
Produits semiconducteurs discrets IGBT bas Vcesat 50V 75A TO2 de FGHL75T65LQDTL4 Fs4
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