Bâti simple SOT-227 de châssis du module 1200V 169A 781W de transistor de VS-GT90DA120U IGBT
Number modèle:VS-GT90DA120U
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max):1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max):169 A
Puissance - Max:781 W
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Shenzhen China
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Le champ de fossé de module de VS-GT90DA120U IGBT arrêtent le bti simple SOT-227 de 1200 chssis de V 169 A 781 W
Modules d'alimentation des semi-conducteurs IGBT de Vishay
La technologie de la pinte IGBT de fossé de caractéristique de modules d'alimentation des semi-conducteurs IGBT de Vishay et sont adaptées vers des machines de soudure de CHAT. Ces IGBTs combinent HEXFRED® et technologie de diode de ® de FRED Pt et répondent des normes d'UL. La caractéristique d'INT-A-PAK sur quelques variantes permet des conceptions avec les conditions limitées de taille qui exigent des tensions et des courants élevés. Le paquet d'EMIPAK-2B comporte des goupilles PressFit et un substrat exposé pour la représentation thermique améliorée. La disposition optimisée aide réduire au minimum des paramètres égarés, tenant compte d'une meilleure représentation d'IEM. Des modules d'alimentation des semi-conducteurs IGBT de Vishay sont utilisés dans les applications telles que des commandes de moteur d'appareils, des commandes de moteur de véhicule électrique, des inverseurs solaires, des alimentations d'énergie non interruptible (UPS), et des convertisseurs de compensation de phase.CARACTÉRISTIQUES
- Technologie de la pinte IGBT de fossé
- variantes de technologie d'arrêt du fossé 1200V et de champ
- Diodes antiparallèles de FRED Pt avec la récupération rapide
- Technologie PressFit de goupilles
- Diode antiparallèle de HEXFRED avec des caractéristiques inverses ultrasoft de récupération
- Substrat Al2O3 exposé avec la basse résistance thermique
- Thermistance intégrée
- Basses inductances internes
- Basse perte de changement
- Court-circuit évalué
- Place RBSOA
- Paquet entièrement d'isolement
- Inductance interne très basse
- Contour industriellement compatible
- L'UL a approuvé le dossier E78996
- Bas VCE (dessus)
- Al2O3DBC
- Conçu pour le niveau industriel
APPLICATIONS
- Soudure haute fréquence industrielle
- Soudure de CHAT
- UPS
- Inverseurs solaires
- alimentations d'énergie de Commutateur-mode (SMPS)
- Compensation de phase (PFC)
- Chauffage par induction
Bâti simple SOT-227 de châssis du module 1200V 169A 781W de transistor de VS-GT90DA120U IGBT
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