Module de transistor de WG50N65DHWQ IGBT, fossé IGBT 650V 91A 278W d'arrêt de champ

Number modèle:WG50N65DHWQ

Quantité d'ordre minimum:50pcs

Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces

Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max):650V

Courant - Collecteur (Ic) (Max):91 A

Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées):200 A

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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Fournisseur Vérifié

Shenzhen China

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Arrêt de champ de fossé de WG50N65DHWQ IGBT 650 V 91 A 278 W par le trou TO-247-3

Semi-conducteurs WG50N65DHWQ IGBT de WeEn

Les semi-conducteurs WG50N65DHWQ IGBT de WeEn est des 650V/50A ultra-rapides IGBT avec une diode antiparallèle dans un paquet TO247. Cet IGBT offre ultra-rapide avec de basses pertes de commutation et les caractéristiques lissent le comportement de changement qui évite la tension dépassent et réduisent le système IEM. Le WG50N65DHWQ IGBT comporte la technologie de champ-arrêt de porte de fossé et offre la basse résistance thermique. Cet IGBT vient dans un paquet sans halogène, comporte une finition sans Pb d'avance, et est RoHS conforme. Les applications typiques incluent la compensation de phase, convertisseur de soudure, inverseur solaire. inverseur industriel, et UPS.

CARACTÉRISTIQUES

Ultra-rapide avec de basses pertes de changement
Diode antiparallèle de récupération rapide et douce
V positifCE (s'est reposé)coefficient de température
Diode antiparallèle de récupération rapide et douce
A qualifié selon JEDEC et répond l'exigence de l'inflammabilité UL94V0
Le comportement de changement sans heurt évite la tension dépassent et réduisent le système IEM