Diode 250mA simple 3.3W 6-TDFN 1.5x1.2 de MADP-011027-14150T rf 100V
Number modèle:MADP-011027-14150T
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Capacité d'approvisionnement:1000000 pièces
Vr - Tension inverse:100V
Capacité de diode maximale:0,35 PF
Série de résistance maximum @ maximum SI:2,6 ohms
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse:
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PIN de diode de MADP-011027-14150T rf - 100V simple 250 mA 3,3 W 6-TDFN (1.5x1.2)
Shunt PIN Diodes de MACOM MADP-01102x
Le shunt PIN Diodes de MACOM MADP-01102x offrent le surface-bti sans plomb de 1.5mm x de 1.2mm DFN les diodes pin emballées en plastique qui fournissent la basse et élevée opération de fréquence de signal de 50MHz 12GHz. La tension claque plus élevée et abaisser la résistance thermique de la diode pin fournit la puissance de crête manipulant au-dessus de 100W. Le shunt PIN Diodes de MACOM MADP-01102x sont idéalement approprié l'utilisation dans des commutateurs d'énergie incidente, des embrayages de phase, des atténuateurs, et des circuits plus élevés micro-ondes de limiteur au-dessus d'une large fréquence où des ensembles de diode de bti de surface de plus haute performance sont exigés.CARACTÉRISTIQUES
- Structure bande large terminale de shunt de 3 LPF
- 50MHz la fréquence 12GHz bande large
- >manipulation de la puissance de crête 100W
- <0>
- >isolement du shunt 23dB
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- 1.5mm x 1.2mm sans plomb 6 paquet de l'avance DFN
- RoHS conforme et ré-écoulement 260°C
APPLICATIONS
- Des commutateurs plus élevés d'énergie incidente
- Embrayages de phase
- Atténuateurs
- Circuits micro-ondes de limiteur
DIAGRAMME FONCTIONNEL
Diode 250mA simple 3.3W 6-TDFN 1.5x1.2 de MADP-011027-14150T rf 100V
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