Dispositifs de semi-conducteur discrets de circuit intégré IPB107N20N3G TO263 200V 88A

Number modèle:IPB107N20N3G
Quantité d'ordre minimum:>=1pcs
Conditions de paiement:LC, T/T, D/A, D/P, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:100000 acres/acres par Day+pcs+1-2days
Délai de livraison:2-3Days
Détails de empaquetage:Ruban adhésif
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Hong kong China
Adresse: B5 plat 1/F., Manning Ind. Bâtiment, 116-118 comment Ming Street, pinces de Kwun, Kowloon, Hong Kong
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
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Détails du produit

Puce toute neuve et originale de FET de MOS de N-canal d'IPB107N20N3G TO263 200V 88A de circuit intégré

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

 

Le numéro de la pièce IPB107N20N3G est fabriqué par INFINEON et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.

 

Pour plus d'informations sur des spécifications détaillées d'IPB107N20N3G, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité IPB107N20N3Gto votre message. Envoyez un email stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.

 

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

 

Statut de produit
Actif
 
 
Vidangez la tension de source (Vdss)
200V
Entraînement de la tension
10V
Signal d'entrée
-
Le signal de sortie
-
Type d'installation
Bti extérieur
Débit
-
Température de fonctionnement
-55°C | 175°C (TJ)
Caractéristiques
-
Montage du type
Bti extérieur
Paquet/cas
TO263-3
Paquet de dispositif de fournisseur
PG-TO263-3
Nombre bas de produit
IPB107

 

 

 

China Dispositifs de semi-conducteur discrets de circuit intégré IPB107N20N3G TO263 200V 88A supplier

Dispositifs de semi-conducteur discrets de circuit intégré IPB107N20N3G TO263 200V 88A

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