FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand
Number modèle:FDB2614
Quantité d'ordre minimum:>=1pcs
Capacité d'approvisionnement:30000 acres/acres par Day+pcs+2-3days
Délai de livraison:2-3Days
Détails de empaquetage:Bande en rouleau (TR) Bande de cisaillement (CT)
Point d'origine:La Chine
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Hong kong China
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B5 plat 1/F., Manning Ind. Bâtiment, 116-118 comment Ming Street, pinces de Kwun, Kowloon, Hong Kong
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FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand
DESCRIPTION DE PRODUIT
Le numéro de la pièce FDB2614 est fabriqué par FAIRCHILD et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.
Pour plus d'informations sur les spécifications détaillées FDB2614, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité FDB2614 votre message. Envoyez un email stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.
PROPRIÉTÉS DE PRODUIT
Statut de produit | Actif |
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez la tension de source (Vdss) | 200 V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 62A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 27mOhm @ 31A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 99 OR @ 10 V |
Vgs (maximum) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 7230 PF @ 25 V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 260W (comité technique) |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | ² PAK (TO-263) DE D |
Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
Nombre bas de produit | FDB261 |
FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand
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