La Manche passive électronique 100V 700mA 625mW SOT-23-3 des composants N de ZXMN10A07FTA
Number modèle:ZXMN10A07FTA
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:>=2pcs
Conditions de paiement:LC, D/A, D/P, Western Union, T/T, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:60000 acres/acres par 2-3Days
Délai de livraison:jours 1-4Work
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Hong kong China
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B5 plat 1/F., Manning Ind. Bâtiment, 116-118 comment Ming Street, pinces de Kwun, Kowloon, Hong Kong
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Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Bti extérieur SOT-23-3 du N-canal 100 V 700mA 625mW de ZXMN10A07FTA
Diode Schottky 100 diodes de redresseurs simples de SMB de bti extérieur de V 1A MBRS1100T3G
DESCRIPTION DE PRODUIT
Ce transistor MOSFET a été conçu pour réduire au minimum la
résistance de sur-état (le RDS (dessus)) mais maintenir la
représentation de changement supérieure, le faisant
idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement
élevé.
PROPRIÉTÉS DE PRODUIT
Statut de produit | Actif |
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez la tension de source (Vdss) | 100 V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 700mA (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 700mOhm @ 1.5A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 2,9 OR @ 10 V |
Vgs (maximum) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 138 PF @ 50 V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 625mW (ventres) |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Nombre bas de produit | ZXMN10 |
La Manche passive électronique 100V 700mA 625mW SOT-23-3 des composants N de ZXMN10A07FTA
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