H11F3SM IC électronique Chips Transistor IC Chip Electronics Rectifier Diode

Diode de redresseur composante de l'électronique d'IC de puce de transistor de H11F3SM Electrnocs
H11F1M, H11F2M, coupleurs optiques de FET de H11F3M Photo
 
Caractéristiques
Comme résistance variable distance :
■≤ 100Ω au ≥ 300MΩ
■capacité de shunt du ≤ 15pF
■Résistance d'isolement d'entrée-sortie du ≥ 100GΩ comme commutateur analogue :
■Extrêmement - basse tension excentrée
■capacité du signal 60 Vpk-PK
■Aucune injection ou verrou- de charge
■L'UL a reconnu (dossier #E90700)
 
Applications
Comme résistance variable distance :
■Atténuateur variable d'isolement
■Commande automatique de gain
■Réglage fin/bande actifs de filtre commutant comme commutateur analogue :
■Circuit d'isolement témoin et de prise
■Conversion multiplexée et optiquement d'isolement d'A/D
 
Description générale
 
La série de H11FXM se compose d'un gallium-AluminumArsenide IRED émettant la diode couplée un détecteur photoélectrique bilatéral symétrique de silicium.
 
Le détecteur est électriquement isolé dans l'entrée et exécute comme un FET d'isolement idéal conçu pour le contrôle sans déformation des signaux analogues de bas niveau C.A. et de C.C.
 
Les dispositifs de série de H11FXM sont montés en boîtiers double rangée de connexions.
 
 
CAPACITÉS ABSOLUES (1)

 
Dimensions de paquet
unité : millimètre 2120

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