Porte Dvr de pont de crête du cru 1A de conducteurs de porte d'IC de gestion de chemin de puissance de LM5109BMAX/NOPB salut demi

Porte Dvr de pont de crête du cru 1A de conducteurs de porte d'IC de gestion de chemin de puissance de LM5109BMAX/NOPB salut demi

Caractéristiques 1

• Commandes un transistor MOSFET du côté haut et du côté bas de N-canal

• courant de la production maximale 1-A (évier 1.0-A et source 1.0-A)

• Entrées compatibles avec TTL indépendant et le CMOS

• Tension d'alimentation d'amorce C.C 108-V

• Temps de propagation rapides (30 NS typiques)

• Charge des lecteurs 1000-pF avec 15 hausses de NS et fois d'automne

• Excellent assortiment de retard de propagation (2 NS typiques)

• Lock-out de sousvoltage de rail d'approvisionnement

• Consommation de puissance faible

• 8-Pin SOIC et paquet Thermique-augmenté de 8-Pin WSON

  
  

2 applications

• Actuel-Fed, convertisseurs va-et-vient

• Convertisseurs de moitié et de puissance de Plein-pont

• Commandes semi-conducteur de moteur

• Convertisseurs de puissance en avant de Deux-commutateur

Le dispositif de LM5109B est un conducteur rentable et haute tension de porte conçu pour conduire les transistors MOSFET du côté haut et du côté bas de N-canal dans un mle synchrone ou une configuration de moitié-pont. Le conducteur du côté haut de flottement est capable du travail avec les tensions jusqu' 90 V. de rail. Les sorties sont indépendamment commandées avec TTL rentable et les seuils CMOS-compatibles d'entrée. La technologie de niveau robuste de décalage fonctionne la grande vitesse tout en consommant la puissance faible et fournissant des transitions de niveau propres partir de la logique d'entrée de contrôle au conducteur du côté haut de porte. Le lock-out de sousvoltage est fourni sur les rails du côté bas et du côté haut de puissance. Le dispositif est disponible dans 8 la goupille SOIC et a thermiquement augmenté 8 paquets de la goupille WSON.

L'information de dispositif