Transistor à haute tension MMBT5551 d'amplificateur d'usage universel du silicium NPN
Number modèle:MMBT5551
Quantité d'ordre minimum:10 PCs
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Capacité d'approvisionnement:1kk/months
Délai de livraison:1-7 jours
Détails de empaquetage:Carton
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Détails du produit
2N5551 / 硅 du 高压晶体管 NPN du 通用放大器 MMBT5550LT1 de MMBT5551 NPN
SOT-23 - Transistor de puissance et DarliCM GROUPons
Numéro de la pièce
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56
CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T
CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Caractéristiques électriques
Mfr. # | MMBT5551 |
| Montage du style | SMD/SMT |
| Polarité de transistor | NPN |
| Configuration | Simple |
| Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum | 160 V |
| Tension de collecteur-base VCBO | 180 V |
| Tension basse VEBO d'émetteur | 6 V |
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | 0,2 V |
| Courant de collecteur maximum de C.C | 0,6 A |
| Palladium - dissipation de puissance | 325 mW |
| Produit pi de largeur de bande de gain | 300 mégahertz |
| Température de fonctionnement minimum | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
| Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain | 80 10 mA, 5 V |
| HFE de gain actuel de C.C maximum | 250 10 mA, 5 V |
| Type de produit | BJTs - transistors bipolaires |
Caractéristiques électriques (aux ventres =°C 25 sauf indication contraire)
Transistor à haute tension MMBT5551 d'amplificateur d'usage universel du silicium NPN
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