8:1 550MHz du commutateur IC de multiplexeur d'IC de commutateur de l'Ethernet ADG1208YRUZ-REEL7 iCMOS de 120 ohms

8:1 550MHz du commutateur IC de multiplexeur d'IC de commutateur de l'Ethernet ADG1208YRUZ-REEL7 iCMOS de 120 ohms

CARACTÉRISTIQUES

• <1 pC="" charge="" injection="" over="" full="" signal="" range="" 1="" pF="" off="" capacitance="">
• Gamme d'approvisionnement de 33 V
• 120 Ω sur la résistance
• Entièrement spécifique ±15 V/+12 V
• 3 entrées compatibles de logique de V
• opération de Rail--rail
• Action de changement de repos-travail
• Disponible dans 16 une avance TSSOP, 16 une avance LFCSP, et a
• 16-lead SOIC
• Puissance typique < 0="">

APPLICATIONS

• Systèmes de communication d'échantillonnage et de stockage de acheminement audio et visuels de systèmes d'équipement de test de systèmes piles par acquisition de données automatiques de systèmes

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Les ADG1208 et les ADG1209 sont les multiplexeurs analogues monolithiques, d'iCMOS de ® comportant huit simples canaux et quatre canaux de différentiel, respectivement. L'ADG1208 commute une de huit entrées un résultat commun comme déterminé par les 3 lignes binaires d'adresse de bit A0, A1, et A2. L'ADG1209 commute une de quatre entrées différentielles un résultat différentiel commun comme déterminé par les 2 lignes binaires A0 et A1 d'adresse de bit. Une entrée d'en sur les deux dispositifs permettre ou désactiver le dispositif. Si handicapés, tous les canaux sont coupés. Quand dessus, chaque canal conduit aussi bien dans les deux directions et a une gamme de signal d'entrée qui se prolonge aux approvisionnements.

Le processus de fabrication modulaire industriel de CMOS (iCMOS) combine le CMOS haute tension (CMOS) et les technologies bipolaires. Il permet le développement d'un large éventail de haute performance IC analogues capable de l'opération de 33 V dans une empreinte de pas qu'aucune autre génération des dispositifs haute tension n'a pu réaliser. la différence des IC analogues utilisant des processus conventionnels de CMOS, les composants d'iCMOS peuvent tolérer des tensions d'alimentation élevée tout en fournissant la représentation accrue, nettement consommation de puissance faible, et la taille réduite de paquet.