Transistor MOSFET N ch 100V 100A TDSON-8 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSC046N10NS3G
Number modèle:BSC046N10NS3G
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Détails de empaquetage:QFN8
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Transistor MOSFET N-ch 100V 100A TDSON-8 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSC046N10NS3G
Caractéristiques
• Basse charge même de porte pour des applications haute fréquence
• Optimisé pour la conversion C.C-C.C
• N-canal, niveau normal
• Excellent produit de la charge X R DS de porte (dessus) (FOM)
• Basse sur-résistance même R DS (dessus)
• température de fonctionnement de 150 °C
• électrodéposition sans Pb d'avance ; RoHS conforme
• Qualifié selon JEDEC1) pour l'application de cible • sans
halogène selon IEC61249-2-21
Transistor MOSFET N ch 100V 100A TDSON-8 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSC046N10NS3G
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