Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor
Number modèle:2N7002LT1G
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Détails de empaquetage:SOT23-3
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Détails du produit
N-canal du transistor MOSFET 60V 115mA de transistor de puissance du transistor MOSFET 2N7002LT1G
Caractéristiques
• préfixe 2V pour applications des véhicules moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC−Q101 a qualifié et PPAP capable (2V7002L)
• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme
ESTIMATIONS MAXIMUM
Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
Tension de Drain−Source | VDSS | 60 | Volts continu |
Tension de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW) | VDGR | 60 | Volts continu |
Vidangez actuel | Identification IDENTIFICATION IDM | ± 800 du ± 75 du ± 115 | mAdc |
Tension de Gate−Source | VGS VGSM | ± 40 du ± 20 | Volts continu Vpk |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
Caractéristique | Symbole | Maximum | Unité |
Panneau total de la dissipation FR−5 de dispositif (VENTRES de note
3) = 25°C Résistance thermique, Junction−to−Ambient | Palladium RqJA | 225 1,8 556 | mW mW/°C °C/W |
Dissipation totale de dispositif Résistance thermique, Junction−to−Ambient | Palladium RqJA | 300 2,4 417 | mW mW/°C °C/W |
Jonction et température de stockage | TJ, Tstg | − 55 +150 | °C |
Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor
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