Transistor MOSFET du transistor MOSFET 60V N-ch NexFET PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de niveau de logique de CSD18534Q5A
Number modèle:CSD18534Q5A
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Transistor MOSFET du transistor MOSFET 60V N-ch NexFET PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18534Q5A
Caractéristiques 1
- Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Avalanche évaluée
Niveau de logique
Électrodéposition terminale libre de Pb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres
2 applications
Conversion de DC-DC
Redresseur synchrone latéral secondaire
Commutateur latéral primaire d'isolement de convertisseur
Contrôle de moteur
Description 3
Ce 7,8 mΩ, 60 V, transistor MOSFET de puissance de millimètre NexFETTM du × 6 du FILS 5 sont conçus pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.
Résumé de produit
VENTRES = 25°C | VALEUR TYPIQUE | UNITÉ | ||
VDS | tension de Drain--source | 60 | V | |
Qg | Total de charge de porte (10 V) | 17 | OR | |
Qgd | Porte--drain de charge de porte | 3,5 | OR | |
Le RDS (dessus) | sur-résistance de Drain--source | VGS = 4,5 V | 9,9 | mΩ |
VGS =10V | 7,8 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tension de seuil | 1,9 | V | |
L'information de commande
DISPOSITIF | Quantité | MÉDIAS | PAQUET | BATEAU |
CSD18534Q5A | 2500 | bobine 13-Inch | FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres | Bande et bobine |
CSD18534Q5AT | 250 | bobine 7-Inch |
Capacités absolues
VENTRES = 25°C | VALEUR | UNITÉ | |
VDS | tension de Drain--source | 60 | V |
VGS | tension de Porte--source | ±20 | V |
Identification | Courant continu de drain (paquet limité) | 50 | |
Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C | 69 | ||
Courant continu de drain, MERCI = 25°C (1) | 13 | ||
IDM | Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2) | 229 | |
Palladium | Dissipation de puissance (1) | 3,1 | W |
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C | 77 | ||
TJ, Tstg | Jonction fonctionnante, température de stockage | – 55 150 | °C |
EAS | Énergie d'avalanche, identification simple =40A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion | 80 | MJ |
Transistor MOSFET du transistor MOSFET 60V N-ch NexFET PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de niveau de logique de CSD18534Q5A
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