Transistors MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de CSD87312Q3E 2 doubles 30V N-CH NexFET PWR
Number modèle:CSD87312Q3E
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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De CSD87312Q3E de transistor MOSFET de puissance de transistor doubles 30V N-CH NexFET PWR transistors MOSFET du transistor MOSFET
CARACTÉRISTIQUES
- Ection de CommonSourceConn
- Ultr un L drain d'o W pour vidanger la Sur-résistance
- FILS d'économie de l'espace paquet en plastique de 3,3 x de 3.3mm
- Optimisé pour la commande de la porte 5V
- Basse résistance thermique
- Avalanche évaluée
- Électrodéposition terminale libre de Pb
- RoHS conforme
- APPLICATIONS libres d'halogène
APPLICATIONS
- Adaptor/USB a entré la protection pour le carnet
- PCs et Tablettes
RÉSUMÉ DE PRODUIT
VENTRES = 25°C | VALEUR TYPIQUE | UNITÉ | ||
VDS | Vidangez la tension de source | 30 | V | |
Qg | Total de charge de porte (4.5V) | 6,3 | OR | |
Qgd | Porte de charge de porte vidanger | 0,7 | OR | |
RDD (dessus) | Vidangez pour vidanger sur la résistance (Q1+Q2) | VGS = 4.5V | 31 | mΩ |
VGS = 8V | 27 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tension de seuil | 1,0 | V | |
L'INFORMATION DE COMMANDE
Dispositif | Paquet | Médias | Quantité | Bateau |
CSD87312Q3E | FILS paquet en plastique de 3,3 x de 3.3mm | 13-dans la bobine de ch | 2500 | Bande et bobine |
CAPACITÉS ABSOLUES
VENTRES = 25°C | VALEUR | UNITÉ | |
VDS | Vidangez la tension de source | 30 | V |
VGS | Porte la tension de source | +10/-8 | V |
Identification | (1) courant continu de drain, comité technique = 25°C | 27 | |
IDM | Courant pulsé de drain (2) | 45 | |
Palladium | Dissipation de puissance | 2,5 | W |
TJ, TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | – 55 150 | °C |
EAS | Énergie d'avalanche, identification simple =24A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion | 29 | MJ |
DESCRIPTION
Le CSD87312Q3E est 30V une commun-source, double dispositif de N-canal conçu pour la protection d'entrée d'adaptor/USB. Ce FILS dispositif de 3,3 x de 3.3mm a le bas drain pour vidanger la sur-résistance qui réduit au maximum des pertes et offre le bas nombre de composants pour des applications de chargement de batterie de multi-cellule contraintes parespace.
Transistors MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de CSD87312Q3E 2 doubles 30V N-CH NexFET PWR
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