Conducteur Circuit, transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD25402Q3A 650 système mv de transistor MOSFET de puissance élevée
Number modèle:CSD25402Q3A
Quantité d'ordre minimum:Contactez-nous
Conditions de paiement:Paypal, Western Union, TTT
Capacité d'approvisionnement:50000 morceaux par jour
Délai de livraison:Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds
Détails de empaquetage:VDFN8
Contacter
Add to Cart
Membre actif
Shenzhen China
Adresse:
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur:
dans 48 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Transistor MOSFET du transistor MOSFET P-CH PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD25402Q3A
Caractéristiques 1
- Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Le bas RDS (dessus)
Pb et halogène libres
RoHS conforme
FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres
2 applications
Convertisseurs de DC-DC
Gestion de batterie
Commutateur de charge
Protection de batterie
Description 3
Ce – 20-V, transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de 7,7 mΩ est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de gestion de charge de conversion de puissance avec un FILS 3,3 millimètres de × le paquet de 3,3 millimètres qui offre une excellente représentation thermique pour la taille du dispositif.
Résumé de produit
VENTRES = 25°C | VALEUR TYPIQUE | UNITÉ | ||
VDS | tension de Drain--source | – 20 | V | |
Qg | Total de charge de porte (– 4,5 V) | 7,5 | OR | |
Qgd | Porte de charge de porte vidanger | 1,1 | OR | |
Le RDS (dessus) | Drain--source sur la résistance | VGS = – 1,8 V | 74 | mΩ |
VGS = – 2,5 V | 13,3 | mΩ | ||
VGS = – 4,5 V | 7,7 | mΩ | ||
Vth | Tension de seuil | – 0,9 | V | |
L'information de commande (1)
DISPOSITIF | Quantité | MÉDIAS | PAQUET | BATEAU |
CSD25402Q3A | 2500 | bobine 13-Inch | FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres | Bande et bobine |
CSD25402Q3AT | 250 | bobine 7-Inch |
Capacités absolues
VENTRES = 25°C | VALEUR | UNITÉ | |
VDS | tension de Drain--source | – 20 | V |
VGS | tension de Porte--source | +12 ou – 12 | V |
Identification | Courant continu de drain, comité technique = 25°C | – 76 | |
Courant continu de drain (limite de paquet) | – 35 | ||
Courant continu de drain (1) | – 15 | ||
IDM | Courant pulsé de drain (2) | – 148 | |
Palladium | Dissipation de puissance (1) | 2,8 | W |
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C | 69 | ||
TJ | La température de jonction fonctionnante | – 55 150 | °C |
Tstg | Température de stockage | – 55 150 | °C |
Conducteur Circuit, transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD25402Q3A 650 système mv de transistor MOSFET de puissance élevée
Inquiry Cart
0