Transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD18540Q5B rf, transistor MOSFET de NexFET PWR de circuit de transistor MOSFET de la Manche de N
Number modèle:CSD18540Q5B
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Transistor MOSFET 60V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18540Q5B de NexFET PWR de N-canal
Caractéristiques 1
- Qg et Qgd très réduits
Résistance Bas-thermique
Avalanche évaluée
Électrodéposition terminale sans plomb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres
2 applications
Conversion de DC-DC
Redresseur synchrone latéral secondaire
Commutateur latéral primaire d'isolement de convertisseur
Contrôle de moteur
Description 3
Ce 1,8 mΩ, transistor MOSFET de puissance de 60-V NexFETTM est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance avec un FILS 5 millimètres de × paquet de 6 millimètres.
Résumé de produit
VENTRES = 25°C | VALEUR TYPIQUE | UNITÉ | ||
VDS | Tension de Drain--source | 60 | V | |
Qg | Total de charge de porte (10 V) | 41 | OR | |
Qgd | Porte--drain de charge de porte | 6,7 | OR | |
Le RDS (dessus) | Drain--source sur la résistance | VGS = 4,5 V | 2,6 | mΩ |
VGS =10V | 1,8 | |||
VGS (Th) | Tension de seuil | 1,9 | V | |
L'information de dispositif
DISPOSITIF | Quantité | MÉDIAS | PAQUET | BATEAU |
CSD18540Q5B | 2500 | bobine 13-Inch | FILS 5,00 millimètres de × paquet en plastique de 6,00 millimètres | Bande et bobine |
CSD18540Q5BT | 250 | bobine 7-Inch |
Capacités absolues
VENTRES = 25°C | VALEUR | UNITÉ | |
VDS | Tension de Drain--source | 60 | V |
VGS | Tension de Porte--source | ±20 | V |
Identification | Courant continu de drain (Package Limited) | 100 | |
Courant continu de drain (Silicon Limited), comité technique = 25°C | 205 | ||
Courant continu de drain (1) | 29 | ||
IDM | Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2) | 400 | |
Palladium | Dissipation de puissance (1) | 3,8 | W |
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C | 188 | ||
TJ, Tstg | Jonction fonctionnante, température de stockage | – 55 175 | °C |
EAS | Énergie d'avalanche, identification simple =80A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion | 320 | MJ |
Transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD18540Q5B rf, transistor MOSFET de NexFET PWR de circuit de transistor MOSFET de la Manche de N
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