Diodes et redresseurs 2A 60V de Schottky de transistor de puissance de transistor MOSFET de SS26T3G
Number modèle:SS26T3G
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Conditions de paiement:Paypal, Western Union, TTT
Capacité d'approvisionnement:50000 morceaux par jour
Délai de livraison:Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds
Détails de empaquetage:DO-214A
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Shenzhen China
Adresse:
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Diodes et redresseurs 2A 60V de Schottky de transistor de puissance de transistor MOSFET de SS26T3G
Caractéristiques
Le paquet compact avec J−Bend mène l'idéal pour la manipulation automatisée
Jonction passivée par oxyde fortement stable
Guardring pour la protection de surtension
Basse chute de tension en avant
Préfixe de NRVB pour applications des véhicules moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC−Q101 qualifié et PPAP Capable*
Le paquet de Pb−Free est disponible
Caractéristiques mécaniques :
Cas : Époxyde moulé
UL époxyde 94, V−O de rassemblements 0,125 po
Poids : mg 95 (approximativement)
Bande de polarité de cathode
La température d'avance et de surface de montage pour le soudure :
maximum 260°C pendant 10 secondes
Disponible dans la bande de 12 millimètres, 2500 unités par bobine de ′ de 13 ′, ajoutez le suffixe « T3 »
au numéro de la pièce
Finition : Toutes les surfaces externes anticorrosion et terminales
Les avances sont aisément Solderable
Estimations d'ESD : Modèle de corps humain = 3B
Modèle de machine = C
Inscription : SS26
L'INFORMATION DE COMMANDE
Dispositif | Paquet | † D'expédition |
SS26T3G | SMB (Pb−Free) | 2500 / Bande et bobine |
NRVBSS26T3G* | SMB (Pb−Free) | 2500 / Bande et Ree |
Diodes et redresseurs 2A 60V de Schottky de transistor de puissance de transistor MOSFET de SS26T3G
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