Résistance thermique très réduite de Circuit NCh NexFET PWR de conducteur de moteur de transistor MOSFET de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg basse
Number modèle:CSD17308Q3
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Transistor MOSFET du transistor MOSFET 30V NCh NexFET PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Caractéristiques 1
- Optimisé pour la commande de la porte 5-V
Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Avalanche évaluée
Électrodéposition terminale libre de Pb
RoHS conforme
Halogène libre
VSON 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres
2 applications
Point de carnet de charge
Mle synchrone de Point-de-charge dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul
Description 3
Ce 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 transistor MOSFET de puissance du millimètre VSON NexFETTM du × 3,3 de millimètre est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance et optimisé pour des applications d'entraînement de la porte 5-V.
Résumé de produit
VENTRES = 25°C | VALEUR | UNITÉ | ||
VDS | tension de Drain--source | 30 | V | |
Qg | Total de charge de porte (4,5 V) | 3,9 | OR | |
Qgd | Porte de charge de porte vidanger | 0,8 | OR | |
Le RDS (dessus) | Drain--source sur la résistance | VGS = 3 V | 12,5 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 9,4 | mΩ | ||
VGS = 8 V | 8,2 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tension de seuil | 1,3 | V | |
L'information de commande
DISPOSITIF | Quantité | MÉDIAS | PAQUET | BATEAU |
CSD17308Q3 | 2500 | bobine 13-Inch | FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres | Bande et bobine |
Capacités absolues
VENTRES = 25°C sauf indication contraire | VALEUR | UNITÉ | |
VDS | tension de Drain--source | 30 | V |
VGS | tension de Porte--source | +10/– 8 | V |
Identification | Courant continu de drain (Package Limited) | 50 | |
Courant continu de drain, comité technique = 25°C | 44 | ||
Courant continu de drain (1) | 14 | ||
IDM | Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2) | 167 | |
Palladium | Dissipation de puissance (1) | 2,7 | W |
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C | 28 | ||
TJ, Tstg | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | – 55 150 | °C |
EAS | Énergie d'avalanche, identification simple =36A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion | 65 | MJ |
Résistance thermique très réduite de Circuit NCh NexFET PWR de conducteur de moteur de transistor MOSFET de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg basse
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