Transistor MOSFET 12V 9.3mohm de puissance du transistor MOSFET N-CH d'horloge de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13202Q2
Number modèle:CSD13202Q2
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Transistor MOSFET 12V 9.3mohm de puissance du transistor MOSFET N-CH d'horloge de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13202Q2
Caractéristiques 1
- Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Avalanche évaluée
Électrodéposition terminale sans plomb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres
2 applications
Optimisé pour des applications de commutateur de charge
Stockage, Tablettes, et dispositifs tenus dans la main
Optimisé pour des applications de FET de contrôle
Point de charge Buck Converters synchrone
Description 3
Ce 12-V, transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de 7,5 mΩ a été conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de gestion de conversion et de charge de puissance. Représentation thermique d'offres du × 2 du FILS 2 l'excellente pour la taille du paquet.
Résumé de produit
VENTRES = 25°C | VAUE TYPIQUE | UNITÉ | ||
VDS | Tension de Drain--source | 12 | V | |
Qg | Total de charge de porte (4,5 V) | 5,1 | OR | |
Qgd | Porte--drain de charge de porte | 0,76 | OR | |
Le RDS (dessus) | Sur-résistance de Drain--source | VGS = 2,5 V | 9,1 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 7,5 | |||
VGS (Th) | Tension de seuil | 0,8 | V | |
L'information de dispositif
DISPOSITIF | MÉDIAS | Quantité | PAQUET | BATEAU |
CSD13202Q2 | bobine 7-Inch | 3000 | FILS 2,00 millimètres de × paquet en plastique de 2,00 millimètres | Bande et bobine |
Capacités absolues
VENTRES = 25°C | VALEUR | UNITÉ | |
VDS | Tension de Drain--source | 12 | V |
VGS | Tension de Porte--source | ±8 | V |
Identification | Courant continu de drain (limite de paquet) | 22 | |
Courant continu de drain (1) | 14,4 | ||
IDM | Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2) | 76 | |
Palladium | Dissipation de puissance (1) | 2,7 | W |
TJ, TSTG | Jonction fonctionnante, température de stockage | – 55 150 | °C |
EAS | Énergie d'avalanche, identification simple =20A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion | 20 | MJ |
Transistor MOSFET 12V 9.3mohm de puissance du transistor MOSFET N-CH d'horloge de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13202Q2
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