Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2
Number modèle:CSD17313Q2
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Détails de empaquetage:SON6
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2
Caractéristiques 1
- Optimisé pour la commande de la porte 5-V
Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Sans Pb
RoHS conforme
Sans halogène
FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres
2 applications
Convertisseurs de DC-DC
Applications de gestion de batterie et de charge
Description 3
Ce 30-V, 24 mΩ, 2 millimètres X transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de FILS de 2 millimètres est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance et optimisé pour des applications d'entraînement de la porte 5-V. Le × de 2 millimètres FILS de 2 millimètres offre l'excellente représentation thermique pour la taille du paquet.
Résumé de produit
(1) pour tous les paquets disponibles, voyez l'addendum ordonnable l'extrémité de la fiche technique.
VENTRES = 25°C | VALEUR TYPIQUE | UNITÉ | ||
VDS | Tension de Drain--source | 30 | V | |
Qg | Total de charge de porte (4,5 V) | 2,1 | OR | |
Qgd | Porte--drain de charge de porte | 0,4 | OR | |
Le RDS (dessus) | Drain--source sur la résistance | VGS = 3 V | 31 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 26 | mΩ | ||
VGS = 8 V | 24 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tension de seuil | 1,3 | V | |
L'information de commande
NUMÉRO DE LA PIÈCE | Quantité | MÉDIAS | PAQUET | BATEAU |
CSD17313Q2 | 3000 | bobine 13-Inch | FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres | Bande et bobine |
CSD17313Q2T | 250 | bobine 7-Inch |
Capacités absolues
VENTRES = 25°C | VALEUR | UNITÉ | |
VDS | Tension de Drain--source | 30 | V |
VGS | Tension de Porte--source | +10/– 8 | V |
Identification | Courant continu de drain (paquet limité) | 5 | |
Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C | 19 | ||
Courant continu de drain (1) | 7,3 | ||
IDM | Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2) | 57 | |
Palladium | Dissipation de puissance (1) | 2,4 | W |
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C | 17 | ||
TJ, TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | – 55 150 | °C |
EAS | Énergie d'avalanche, impulsion simple, identification =19A, L=0.1mH, RG =25Ω | 18 | MJ |
Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2
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