Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18501Q5A
Number modèle:CSD18501Q5A
Quantité d'ordre minimum:Contactez-nous
Conditions de paiement:Paypal, Western Union, TTT
Capacité d'approvisionnement:50000 morceaux par jour
Délai de livraison:Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds
Détails de empaquetage:DFN56
Contacter
Add to Cart
Membre actif
Shenzhen China
Adresse:
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur:
dans 48 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18501Q5A
Caractéristiques 1
- Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Avalanche évaluée
Niveau de logique
Électrodéposition terminale libre de Pb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres
2 applications
Conversion de DC-DC
Redresseur synchrone latéral secondaire
Contrôle de moteur accus
Description 3
Ce 40 V, 2,5 le mΩ, transistor MOSFET de puissance de millimètre NexFETTM du × 6 du FILS 5 ont été conçus pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.
Résumé de produit
VENTRES = 25°C | VALEUR TYPIQUE | UNITÉ | ||
VDS | Tension de Drain--source | 40 | V | |
Qg | Total de charge de porte (4,5 V) | 20 | OR | |
Qgd | Porte--drain de charge de porte | 5,9 | OR | |
Le RDS (dessus) | Sur-résistance de Drain--source | VGS = 4,5 V | 3,3 | mΩ |
VGS =10V | 2,5 | mΩ | ||
VGS (Th) | Tension de seuil | 1,8 | V | |
L'information de commande (1)
Dispositif | Quantité | Médias | Paquet | Bateau |
CSD18501Q5A | 2500 | bobine 13-Inch | FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres | Bande et bobine |
CSD18501Q5AT | 250 | bobine 7-Inch |
Capacités absolues
VENTRES = 25°C | VALEUR | UNITÉ | |
VDS | Tension de Drain--source | 40 | V |
VGS | Tension de Porte--source | ±20 | V |
Identification | Courant continu de drain (paquet limité) | 100 | |
Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C | 161 | ||
Courant continu de drain (1) | 22 | ||
IDM | Courant pulsé de drain (2) | 400 | |
Palladium | Dissipation de puissance (1) | 3,1 | W |
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C | 150 | ||
TJ, Tstg | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | – 55 150 | °C |
EAS | Énergie d'avalanche, identification simple =68A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion | 231 | MJ |
Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18501Q5A
Inquiry Cart
0