Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3
Number modèle:SI7139DP-T1-GE3
Quantité d'ordre minimum:Contactez-nous
Conditions de paiement:Paypal, Western Union, TTT
Capacité d'approvisionnement:50000 morceaux par jour
Délai de livraison:Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds
Détails de empaquetage:SOT223
Contacter
Add to Cart
Membre actif
Shenzhen China
Adresse:
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur:
dans 48 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3
CARACTÉRISTIQUES
- Transistors MOSFET de puissance de TrenchFET®
- Catégorisation matérielle :
pour des définitions de conformité voir svp le www.vishay.com/doc?99912
RÉSUMÉ DE PRODUIT | ||
VDS (v) | Le RDS (dessus) () | Identification (a) |
-60 | 0,0145 VGS = -10 V | -14,4 |
0,0190 VGS = -4,5 V | -12,6 | |
CAPACITÉS ABSOLUES (MERCI = °C 25, sauf indication contraire) | |||||
PARAMÈTRE | SYMBOLE | 10 s | ÉQUILIBRÉ | UNITÉ | |
Tension de Drain-source | VDS | -60 | V | ||
Tension de Porte-source | VGS | ± 20 | |||
Courant continu de drain (TJ = 150 °C) a | VENTRES =25°C | Identification | -14,4 | -8,6 | |
VENTRES =70°C | -11,5 | -6,9 | |||
Courant pulsé de drain | IDM | -60 | |||
Courant de source continu (conduction de diode) a | EST | -4,5 | -1,6 | ||
Courant d'avalanche | L = 0,1 MH | IAS | 50 | ||
Énergie simple d'avalanche d'impulsion | EAS | 125 | MJ | ||
Dissipation de puissance maximum a | VENTRES =25°C | Palladium | 5,4 | 1,9 | W |
VENTRES =70°C | 3,4 | 1,2 | |||
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, Tstg | -55 +150 | °C | ||
Recommandations de soudure (la température maximale) b, c | 260 | ||||
ESTIMATIONS DE RÉSISTANCE THERMIQUE | |||||
PARAMÈTRE | SYMBOLE | TYPIQUE | MAXIMUM | UNITÉ | |
A Jonction--ambiant maximum | 10 s de t | RthJA | 18 | 23 | °C/W |
Équilibré | 52 | 65 | |||
Jonction--cas maximum (drain) | Équilibré | RthJC | 1 | 1,3 | |
Transistor MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI7461DP-T1-GE3
Inquiry Cart
0