La mémoire instantanée micro IC ébrèchent la publication périodique de SST25VF080B 8 Mbit SPI avec la fréquence du signal d'horloge à grande vitesse

la famille instantanée périodique de 25 séries comporte un quatre fils, l'interface de SPIcompatible qui tient compte d'un bas paquet de goupille-compte qui occupe moins d'espace de conseil et abaisse finalement des coûts du système totaux. Les dispositifs de SST25VF080B sont augmentés avec la fréquence améliorée de fonctionnement et la consommation de puissance faible. Des souvenirs instantanés périodiques de SST25VF080B SPI sont fabriqués avec la technologie de propriété industrielle et performante de CMOS SuperFlash. L'injecteur de perçage d'un tunnel de conception et d'épais-oxyde de cellules de fente-porte atteignent une meilleure fiabilité et un manufacturability comparés aux approches alternatives.

Les dispositifs de SST25VF080B améliorent de manière significative la représentation et la fiabilité, tout en abaissant la puissance. Les dispositifs écrivent (programme ou effacement) avec une alimentation d'énergie simple en 2.7-3.6V pour SST25VF080B. Toute l'énergie consommée est une fonction de la tension appliquée, actuel, et de période d'application. Depuis pour n'importe quelle gamme donnée de tension, la technologie de SuperFlash emploie moins actuel au programme et a plus peu de temps d'effacement, toute l'énergie consommée pendant n'importe quel effacement ou l'opération de programme est moins que des technologies de stockage instantanées alternatives.

Le dispositif de SST25VF080B est offert en 8 avance SOIC (200 mils), 8 le contact WSON (6mm x 5mm), et 8 paquets de l'avance PDIP (300 mils).