Puce de mémoire instantanée de basse tension AT24C02D-SSHM-T avec la mémoire microprogrammable

Number modèle:AT24C02D-SSHM-T
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
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La mémoire instantanée Chip Generally d'Atmel AT24C02D-SSHM-T emploient la mémoire microprogrammable


Description

L'Atmel® AT24C01D/02D fournit 1,024/2,048 de bits de publication périodique électriquement effaçables et la mémoire microprogrammable (EEPROM) a organisé en tant que 128/256 de mots de huit bits chacun. La caractéristique cascadable du dispositif permet jusqu' huit dispositifs de partager un autobus 2 fils commun. Ces le dispositif sont optimisés pour l'usage dans beaucoup d'applications commerciales industrielles et où l'opération de basse puissance et de basse tension sont essentielle. Les deux dispositifs sont disponibles en 8 avance qui fait gagner de la place SOIC, 8 l'avance TSSOP, 8 la protection UDFN, 8 l'avance PDIP (1), 5 avance SOT23, et 8 paquets de boule VFBGA. La famille entière des paquets fonctionne partir de 1.7V 3.6V.


Caractéristiques
opération de basse tension de 
̶ 1.7V (VCC = 1.7V 3.6V)
le  intérieurement a organisé 128 x 8 (1K) ou 256 x 8 (2K)
 I2
Interface série ( 2 fils) C-compatible
mode standard du ̶ 100kHz, 1.7V 3.6V
mode rapide du ̶ 400kHz, 1.7V 3.6V
plus rapide de mode du ̶ 1MHz (FM+), 2.5V 3.6V
déclencheurs de Schmitt de , entrées filtrées pour la suppression de bruit
protocole bidirectionnel de transfert des données de 
Pin de protection contre l'écriture de  pour la pleine protection des données de matériel de rangée
courant actif très réduit de  (1mA maximum) et courant de réserve (0.8μA maximum)
le  page de 8 octets écrivent le mode
la page partielle de ̶ écrit laissé
modes lus aléatoires et séquentiels de 
le  Auto-synchronisé écrivent le cycle dans 5ms maximum
le sérieux élevé de 
résistance de ̶ : 1 000 000 écrivez les cycles
conservation de données de ̶ : 100 ans
options vertes de paquet de  (sans plomb/Halide-free/RoHS conformes)
avance du ̶ 8 SOIC, 8 avance TSSOP, 8 protection UDFN, 8 avance PDIP (1), 5 avance SOT23, et
8-ball VFBGA
le  meurent des options de vente : Forme de gaufrette et bande et bobine


L'AT24C01D est intérieurement organisé en tant que 16 pages de 8 octets chacune tandis que l'AT24C02D est organisé en tant que 32 pages de 8 octets chacune.


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Puce de mémoire instantanée de basse tension AT24C02D-SSHM-T avec la mémoire microprogrammable

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