FM24CL04B-GTR 4 - mémoire non volatile de Kbit, interface rapide périodique de la mémoire instantanée I2C de FRAM
Number modèle:FM24CL04B
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
Délai de livraison:1-3days
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Détails du produit
Éclair périodique 2 fils rapide instantané de l'interface série FRAM de la puce de mémoire de FM24CL04B-GTR 4Kbit
Description
Le FM24CL04B est une mémoire non volatile 4-Kbit utilisant un
processus ferroélectrique avancé. Une mémoire accès sélectif ou un
F-RAM ferroélectrique est non-volatile et exécute lit et écrit
semblable RAM. Il fournit la conservation fiable de données pendant
151 années tout en éliminant les complexités, les frais généraux,
et les problèmes au niveau système de fiabilité provoqués par
EEPROM et d'autres mémoires non volatiles. la différence d'EEPROM,
le FM24CL04B exécute pour écrire des opérations la vitesse
d'autobus. Aucun écrivez les retards sont encourus. Des données
sont écrites la rangée de mémoire juste après chaque octet sont
avec succès transférées au dispositif. Le prochain cycle d'autobus
peut débuter sans besoin de vote de données. En outre, le produit
offre substantiel écrivent la résistance comparée d'autres mémoires
non volatiles. En outre, F-RAM montre la puissance faible beaucoup
pendant écrit qu'EEPROM écrivent depuis des opérations n'exigent
pas une tension d'alimentation électrique intérieurement élevée
pour écrivent des circuits. Le FM24CL04B est capable de soutenir
1014 cycles lecture/écriture, ou écrivent 100 millions de fois
davantage des cycles qu'EEPROM. Ces capacités font l'idéal de
FM24CL04B pour des applications de mémoire non volatile, exigence
fréquente ou rapide écrit. Les exemples s'étendent de
l'enregistrement de données, d'où le nombre écrivent des cycles
peut être critique, exiger les contrôles industriels où les longs
écrivent la période d'EEPROM peuvent causer la perte de données. La
combinaison des caractéristiques permet des données plus fréquentes
écrivant avec moins de frais généraux pour le système. Le FM24CL04B
fournit les indemnités substantielles aux utilisateurs de la
publication périodique (I2C) EEPROM comme remplacement de réunion
informelle de matériel. Les caractéristiques de dispositif sont
garanties sur une température ambiante industrielle – de 40 C +85
C.
Caractéristiques
■mémoire 4-Kbit accès sélectif ferroélectrique (F-RAM) logiquement
organisé en tant que 512 × 8
la Haut-résistance 100 trillion de ❐ (1014) a indiqué/écrit
❐ conservation de 151 données d'an (voir la conservation et la résistance de données
la page 10)
Le ❐ NoDelay™ écrit
Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée de ❐
■Interface série 2 fils rapide (I2C)
❐ jusqu' la fréquence 1-MHz
Le ❐ dirigent le remplacement de matériel pour la publication périodique (I2C) EEPROM
Le ❐ soutient des synchronisations de legs pour 100 kilohertz et 400 kilohertz
■Consommation de puissance faible
du ❐ 100 un courant actif 100 kilohertz
courant de réserve du A (type) du ❐ 3
■Opération de tension : VDD = 2,7 V 3,65 V
■La température industrielle : – 40 C +85 C
■petit paquet du circuit intégré d'ensemble de 8 bornes (SOIC)
■Restriction des substances dangereuses (RoHS) conformes
■mémoire 4-Kbit accès sélectif ferroélectrique (F-RAM) logiquement
organisé en tant que 512 × 8
la Haut-résistance 100 trillion de ❐ (1014) a indiqué/écrit
❐ conservation de 151 données d'an (voir la conservation et la résistance de données
la page 10)
Le ❐ NoDelay™ écrit
Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée de ❐
■Interface série 2 fils rapide (I2C)
❐ jusqu' la fréquence 1-MHz
Le ❐ dirigent le remplacement de matériel pour la publication périodique (I2C) EEPROM
Le ❐ soutient des synchronisations de legs pour 100 kilohertz et 400 kilohertz
■Consommation de puissance faible
du ❐ 100 un courant actif 100 kilohertz
courant de réserve du A (type) du ❐ 3
■Opération de tension : VDD = 2,7 V 3,65 V
■La température industrielle : – 40 C +85 C
■petit paquet du circuit intégré d'ensemble de 8 bornes (SOIC)
■Restriction des substances dangereuses (RoHS) conformes
Applications
Industriel, communications et mise en réseau
FM24CL04B-GTR 4 - mémoire non volatile de Kbit, interface rapide périodique de la mémoire instantanée I2C de FRAM
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