Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz
Number modèle:2SC5171
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
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Capacité d'approvisionnement:100000pcs
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Type épitaxial applications du silicium NPN de transistor de 2SC5171 TOSHIBA d'amplificateur de puissance
CARACTÉRISTIQUES
• Haute fréquence de transition : pi = 200 mégahertz (type.)
• Complémentaire 2SA1930
Caractéristiques électriques (comité technique = 25°C)
Caractéristiques | Symbole | Condition d'essai | Minute | Type. | Maximum | Unité |
Courant de coupure de collecteur | ICBO | VCB = 180 V, IE = 0 | - | - | 5,0 | μA |
Courant de coupure d'émetteur | IEBO | VEB = 5 V, IC = 0 | - | - | 5,0 | μA |
Tension claque de collecteur-émetteur | PRÉSIDENT DE V (BR) | IC = 10 mA, IB = 0 | 180 | - | - | V |
Gain actuel de C.C | hFE (1) | VCE = 5 V, IC = 0,1 A | 100 | - | 320 | |
hFE (2) | VCE = 5 V, IC = 1 A | 50 | - | - | ||
Tension de saturation de collecteur-émetteur | VCE (s'est reposé) | IC = 1 A, IB = 0,1 A | - | 0,16 | 1,0 | V |
Tension d'émetteur de base | VBE | VCE = 5 V, IC = 1 A | - | 0,68 | 1,5 | V |
Fréquence de transition | pi | VCE = 5 V, IC = 0,3 A | - | 200 | - | Mégahertz |
Capacité de sortie de collecteur | Épi | VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 mégahertz | - | 16 | - | PF |
Capacités absolues (comité technique = 25°C)
Caractéristiques | Symbole | Estimation | Unité | |
Tension de collecteur-base | VCBO | 180 | V | |
Tension de collecteur-émetteur | VCEO | 180 | V | |
tension d'Émetteur-base | VEBO | 5 | V | |
Courant de collecteur | IC | 2 | ||
Courant bas | IB | 1 | ||
Dissipation de puissance de collecteur | Ventres = 25°C | PC | 2,0 | W |
Comité technique = 25°C | 20 | |||
La température de jonction | Tj | 150 | °C | |
Température ambiante de température de stockage | Tstg | −55150 | °C | |
Applications
• Applications d'amplificateur de puissance
• Conducteur Stage Amplifier Applications
Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz
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