Le transistor de puissance à gain élevé de transistor MOSFET de représentation NPN DarliCM GROUPon TIP122 ROHS a approuvé
Number modèle:TIP122
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:100000pcs
Délai de livraison:1-3days
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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? Transistor de puissance des transistors TIP122 DarliCM GROUPon NPN 100V 5A 2000mW TO220 de transistor MOSFET
TIP120, TIP121, TIP122 TIP125, TIP126, TIP127
Description
Les dispositifs sont fabriqués en technologie planaire avec la disposition « d'île basse » et la configuration monolithique de DarliCM GROUPon. Les transistors en résultant montrent la représentation gain élevé exceptionnelle ajoutés la tension de saturation très basse.
Caractéristiques
Conçu pour des applications linéaires et commutantes d'usage universel.
Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
NPN complémentaire - transistors de PNP
Applications
- Linéaire d'usage universel et changement
Le transistor de puissance à gain élevé de transistor MOSFET de représentation NPN DarliCM GROUPon TIP122 ROHS a approuvé
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