Transistor de puissance à haute fréquence de transistor MOSFET pour les télécom/usage industriel IRLR7843TRPBF

Number modèle:IRLR7843TRPBF
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Transistor MOSFET de puissance du transistor IRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A pour des télécom et l'usage industriel

IRLR7843PbF IRLU7843PbF

Description

Sélection de transistor MOSFET de puissance pour les convertisseurs non isolés de DC/DC


Capacités absolues

Paramètre

Maximum.

Unités

VDS

Tension de Drain--source

30

V

VGS

Tension de Porte--source

± 20

Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C

Courant continu de drain, VGS @ 10V

161f


Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C

Courant continu de drain, VGS @ 10V

113f

IDM

Drain pulsé c actuel

620

Palladium @TC = 25°C

Dissipation de puissance maximum g

140

W

Palladium @TC = 100°C

Dissipation de puissance maximum g

71

Facteur de sous-sollicitation linéaire

0,95

W/°C

TJ TSTG

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

-55 to+175

°C

La température de soudure, pendant 10 secondes

300 (1.6mm du cas)

Caractéristiques

l le bas RDS même (dessus) 4.5V VGS
l impédance très réduite de porte
l a entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche

Applications

l Buck Converters synchrone haute fréquence pour la puissance de processeur d'ordinateur
l convertisseurs d'isolement haute fréquence de DC-DC avec la rectification synchrone pour des télécom et l'usage industriel
l sans plomb




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Transistor de puissance à haute fréquence de transistor MOSFET pour les télécom/usage industriel IRLR7843TRPBF

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