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IRLR7843PbF IRLU7843PbF
Sélection de transistor MOSFET de puissance pour les convertisseurs non isolés de DC/DC
Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
VDS | Tension de Drain--source | 30 | V |
VGS | Tension de Porte--source | ± 20 | |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 161f | |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 113f | |
IDM | Drain pulsé c actuel | 620 | |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance maximum g | 140 | W |
Palladium @TC = 100°C | Dissipation de puissance maximum g | 71 | |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,95 | W/°C | |
TJ TSTG | Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | -55 to+175 | °C |
La température de soudure, pendant 10 secondes | 300 (1.6mm du cas) |
l le bas RDS même (dessus) 4.5V VGS
l impédance très réduite de porte
l a entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
Applications
l Buck Converters synchrone haute fréquence pour la puissance de
processeur d'ordinateur
l convertisseurs d'isolement haute fréquence de DC-DC avec la
rectification synchrone pour des télécom et l'usage industriel
l sans plomb