Transistor sans plomb de transistor MOSFET de la Manche de N, transistor à grande vitesse IRF640NPBF de transistor MOSFET de 200V 18A
Number modèle:IRF640NPBF
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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La Manche 200V 18A du transport N d'IMMERSION d'IRF640NPBF commutant le transistor de puissance de transistor MOSFET
Description
Le transistor MOSFET s de puissance de ® de la cinquième génération HEXFET du redresseur international utilisent
des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement -
la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage,
combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception
robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de
puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un
dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une
grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les
applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de
puissance approximativement 50 watts. La basse résistance thermique
et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent son acceptation
large dans toute l'industrie.
Le D2PAKestunpaquetextérieurdepuissancedebticapabledulogement
mourirdestaillesjusqu'HEX-4. Ilfournitlacapacitéde lapuissancela
plus élevéeetleplus baspossiblesurlarésistanceenn'importe
quelpaquetextérieurexistantdebti. LeD2PAKconvientauxapplications
forte intensitéen
raisondesabasserésistanceinternedeconnexionetpeutabsorberjusqu'2.0Wdansuneapplicationextérieuretypiquedebti.
La version d' travers-trou (IRF640NL) est disponible pour la basse
application de profil.
Caractéristique
l a avancé la technologie transformatrice
l estimation dynamique de dv/dt
l 175°C actionnant l'emperature de T
l commutation rapide
l entièrement avalanche évaluée
l facilité de parallélisation
l conditions simples d'entraînement
l sans plomb
Paquet
Transistor sans plomb de transistor MOSFET de la Manche de N, transistor à grande vitesse IRF640NPBF de transistor MOSFET de 200V 18A
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