GaAs Ired et photo - transistor, contrôleur programmable TLP504A-2
Number modèle:TLP504A-2
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:4800pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Photocoupleur GaAs Ired et Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP504A, TLP504A−2
C.A. de contrôleurs programmables/relais semi-conducteur module de DC−Input
TOSHIBA TLP504A et TLP504A−2 se compose d'un photo−transistor optiquement couplé une diode émetteuse d'infrarouge d'arséniure de gallium.
Le TLP504A offre deux canaux d'isolement dans un paquet en plastique d'IMMERSION de huit avances, alors que le TLP504A−2 fournit quatre canaux d'isolement dans un paquet en plastique de l'IMMERSION seize.
• Tension de Collector−emitter : 55 V (mn)
• Rapport de transfert courant : grade gigaoctet de 50% (mn) : 100% (mn)
• Tension d'isolement : 2500 Vrms (mn)
• L'UL a reconnu : UL1577,
No. E67349 de dossier
Pin Configurations (vue supérieure)
Capacités absolues (merci = 25°C)
| Caractéristique | Symbole | Estimation | Unité | ||
| TLP504A | TLP504A−2 | ||||
| LED | Courant en avant | SI | 60 | 50 | mA |
| Sous-sollicitation actuelle en avant | ΔIF/°C | −0.7 (≥ de ventres 39°C) | −0.5 (≥ de ventres 25°C) | mA/°C | |
| Palpitez en avant actuel | IFP | 1 (100μs impulsion, 100pps) | |||
| Tension inverse | VR | 5 | V | ||
| La température de jonction | Tj | 125 | °C | ||
| Détecteur | Tension de Collector−emitter | VCEO | 55 | V | |
| Tension d'Emitter−collector | VECO | 7 | V | ||
| Courant de collecteur | IC | 50 | mA | ||
| Dissipation de puissance de collecteur (1 circuit) | PC | 150 | 100 | mW | |
Sous-sollicitation de dissipation de puissance de collecteur (1 ≥ de ventres de circuit 25°C) | ΔPC/°C | -1,5 | -1,0 | mW/°C | |
| La température de jonction | Tj | 125 | °C | ||
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | −55~150 | °C | ||
| Gamme de température de fonctionnement | Topr | −55~100 | °C | ||
| La température de soudure d'avance | Tsol | 260 (10 s) | °C | ||
| Dissipation de puissance totale de paquet | Droite | 250 | 150 | mW | |
Sous-sollicitation totale de dissipation de puissance de paquet (Merci ≥ 25°C) | ΔPT/°C | -2,5 | -1,5 | mW/°C | |
| Tension d'isolement | BVS | 2500 (C.A., 1min., R.H.≤ 60%) (Note 1) | Vrms | ||
Note : Utilisant sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application de la haute température/actuel/tension et la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.--d. température de fonctionnement/actuel/tension, etc.) sont dans les capacités absolues.
Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (« manipulant » de précautions/« sous-sollicitant le concept et les méthodes ") et les différentes données de fiabilité (c.--d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).
Note 1 : Le dispositif a considéré des deux terminal : Les goupilles latérales de LED ont court-circuité ensemble et des goupilles de côté de détecteur court-circuitées ensemble.
GaAs Ired et photo - transistor, contrôleur programmable TLP504A-2
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