IRF640NSTRLPBF a avancé la technologie transformatrice l'IC que commun ébrèche les circuits numériques d'IC
Number modèle:IRF640NSTRLPBF
Point d'origine:original
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:290PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Bulletin de la cote
| MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
| MURS140 | 25000 | SUR | 16+ | DO-214 |
| BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI | |
| PESD5V2S2UT | 25000 | 16+ | IVROGNE | |
| LM26CIM5-TPA | 5000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| CM1200HB-66H | 213 | MITSUBI | 14+ | MODULE |
| LPC11C24FBD48 | 4833 | 15+ | LQFP-48 | |
| CM30TF-24H | 313 | MITSUBI | 15+ | MODULE |
| 7MBR50SB120 | 230 | FUJI | 12+ | MODULE |
| MAX209EWG | 7850 | MAXIME | 14+ | CONCESSION |
| LXT970AQC | 4907 | LEVELONE | 10+ | QFP |
| MSP430FG4619IPZ | 6834 | TI | 16+ | LQFP |
| NCP1052ST136T3G | 9280 | SUR | 16+ | SOT-223 |
| MAX17121ETG | 6550 | MAXIME | 16+ | QFN |
| MAC97A6 | 25000 | SUR | 16+ | TO-92 |
| MPC89E58AF | 5910 | MEGAWIN | 16+ | PQFP |
| CS4398-CZZR | 2234 | CIRRUS | 15+ | TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I | 3070 | TRELLIS | 15+ | QFP |
| ME0550-02DA | 595 | IXYS | 14+ | IGBT |
| MDD26-14N1B | 5902 | IXYS | 16+ | IGBT |
| MT9V024IA7XTM | 2499 | SUR | 15+ | BGA |
| MCC21-1408B | 4756 | IXYS | 14+ | IGBT |
| CM100DU-24NFH | 378 | MITSUBI | 15+ | MODULE |
| 6RI100E-080 | 958 | FUJI | 15+ | MODULE |
| PM150RSD060 | 250 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PK160F-160 | 120 | SANREX | 11+ | MODULE |
| LC540 | 3081 | TI | 15+ | TSSOP |
| OP20FZ | 596 | ANNONCE | 16+ | CDIP |
| PCA9554PWR | 12420 | TI | 16+ | TSSOP |
| M1494NC180 | 479 | WESTCODE | 14+ | MODULE |
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | MODULE |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®
? ►Processus avancé
►Technologie ? Estimation dynamique de dv/dt ?
►température de fonctionnement 175°C ?
►Commutation rapide ?
►Entièrement avalanche évaluée ?
►Facilité de la parallélisation ?
►Conditions simples d'entraînement
►? Sans plomb
Description
Les transistors MOSFET de puissance de la cinquième génération HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent son acceptation large dans toute l'industrie.
Le D2Pak est un paquet extérieur de puissance de bti capable du logement mourir des tailles jusqu' HEX-4. Il fournit la capacité de la puissance la plus élevée et le plus bas possible onresistance en n'importe quel paquet extérieur existant de bti. Le D2Pak convient aux applications forte intensité en raison de sa basse résistance interne de connexion et peut absorber jusqu' 2.0W dans une application extérieure typique de bti.
La version d' travers-trou (IRF640NL) est disponible pour l'application lowprofile
IRF640NSTRLPBF a avancé la technologie transformatrice l'IC que commun ébrèche les circuits numériques d'IC
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