Semiconducteur MOSFET complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G

Number modèle:MJ15025G
Point d'origine:Le Mexique
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:260pcs
Délai de livraison:1 jour
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Semiconducteur MOSFET complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G


− MJ15023, MJ15025* DE PNP

Transistors de puissance de silicium

Les MJ15023 et les MJ15025 sont des transistors de puissance de PowerBase conçus pour l'audio de puissance élevée, les positionneurs principaux de disque et d'autres applications linéaires.


Caractéristiques

• Région élevée d'opération sûre (100% examiné) −2 A @ 80 V

• HFE élevé de − de gain actuel de C.C = 15 (minute) @ IC = 8 CDA

• Les paquets de Pb−Free sont Available*


MJ1502x = code de dispositif

x = 3 ou 5

G = paquet de Pb−Free

= emplacement d'Assemblée

Y = année

WW = semaine de travail

MEX = pays d'origine


L'INFORMATION DE COMMANDE

DispositifPaquetExpédition
MJ15023TO−204100 unités/plateau
MJ15023G

TO−204

(Pb−Free)

100 unités/plateau
MJ15025TO−204100 unités/plateau
MJ15025G

TO−204

(Pb−Free)

100 unités/plateau

Il y a deux limitations sur la capacité powerhandling d'un transistor : la température de jonction moyenne et deuxième panne. Les courbes de secteur de fonctionnement sûr indiquent que le − VCE d'IC limite du transistor qui doit être observé pour l'opération fiable ; c.--d., le transistor ne doit pas être soumis une plus grande dissipation que les courbes indiquent.


Les données du schéma 1 sont basées sur TJ (PK) = 200C ; Le comité technique est variable selon des conditions. Aux températures de carter élevées, les limitations thermiques réduiront la puissance qui peut être manipulée aux valeurs moins que les limitations imposées par la deuxième panne.


CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES


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Semiconducteur MOSFET complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G

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