STN1HNK60 N-canal 600v - 8ω - transistors de transistor MOSFET de 1a Dpak/To-92/Ipak/Sot-223 Supermesh

Number modèle:STN1HNK60

Point d'origine:original

Quantité d'ordre minimum:5pcs

Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement:1570PCS

Délai de livraison:1 jour

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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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Shenzhen China

Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.

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Détails du produit

STN1HNK60
N-CANAL 600V - 8Ω - transistor MOSFET de 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH

Caractéristiques

■Ω 8 TYPIQUE du RDS (dessus) =
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'ESD A AMÉLIORÉ LA CAPACITÉ
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ

■NOUVELLE RÉFÉRENCE HAUTE TENSION
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM

APPLICATIONS

■CHARGEURS DE BATTERIE DE PUISSANCE FAIBLE
■APPROVISIONNEMENTS DE PUISSANCE FAIBLE DE MODE DE SWITH (SMPS)
■PUISSANCE FAIBLE, BALLAST, CFL (LAMPES FLUORESCENTES COMPACTES)

DESCRIPTION

La série de SuperMESH™ est obtenue par une extrémité
optimisation de PowerM basé sur bande bien établi du St
- Disposition d'ESH™. En plus de pousser le signi de sur-résistance
- ficantly vers le bas, le soin spécial est pris pour assurer très un bon
capacité de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Tel
la série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET haute tension
y compris les produits révolutionnaires de MDmesh™.

Capacités absolues

Symbole	Paramètre	Valeur			Unité
		DPAK/IPAK	TO-92	SOT-223
VDS	tension de Drain-source (VGS = 0)	600			V
VDGR	tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20)	600			V
VGS	Tension de source de porte	± 30			V
Identification	Vidangez actuel (continu) comité technique = 25°C	1,0	0,4	0,4
Identification	Vidangez actuel (continu) comité technique = 100°C	0,63	0,25	0,25
IDM (•)	Courant de drain (pulsé)	4	1,6	1,6
PTOT	Dissipation totale comité technique = 25°C	30	3	3,3	W
	Sous-sollicitation du facteur	0,24	0,025	0,025	W/°C
dv/dt (1)	Pente maximale de tension de récupération de diode	3			V/ns
Tj Tstg	La température de jonction fonctionnante Température de stockage	-55 150			°C

(•) Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤1.0A, di/dt ≤100A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.

BULLETIN DE LA COTE

M28W160CT70N6E	3880	St	16+	TSOP
74LCX125MTCX	7500	FAIRCHILD	16+	TSOP
MC33298P	3206	SUR	14+	IMMERSION
MAX1488ECPD	5650	MAXIME	16+	IMMERSION
MMBT5551LT1G	20000	SUR	16+	SOT-23
MAX1232ESA+	30000	MAXIME	16+	CONCESSION
LA7838	5192	SANYO	15+	PETITE GORGÉE
MC68000P8	3610	MOT	15+	IMMERSION
L6283-1.3	2938	St	14+	QFP
MRF182	6386	MOTOROLA	14+	SMD
MAX17435ETG	6850	MAXIME	14+	QFN
FOD817C	2200	FSC	16+	SOP-4
AME8500AEETAF29Z	1600	AME	13+	SOT-23
IRF3710	1500	IR	14+	TO-220
MIC2075-1YM	6382	MICREL	16+	CONCESSION
MRF160	637	MOT	15+	MODÈLE
BLW33	156	PHI	15+	SOT122A
BLW32	156	PHI	14+	SOT122A
MIC39102YM	6490	MICREL	16+	SOP-8
AT28C64B-15SI	2300	ATMEL	16+	SOP28
MAX811MEUS-T	8041	MAXIME	16+	IVROGNE
74LVC244AD	7500		16+	CONCESSION
DS1722S+T	5760	MAXIME	14+	SOP-8
BT136-600E	2100		15+	TO-220
PM75CFE060	280	MITSUBISH	13+	MOUDLE
BT137S-800G	10000		15+	TO220
MR4020	6260	SHINDENGE	14+	TO220-7
IRFL9110TR	1500	IR	16+	SOT-223
LM317LIPK	9368	TI	15+	SOT-89
MJE13005	38000	FSC	16+	TO-220
FCX605TA	1950	ZETEX	15+	SOT-89
2SC2878A	3000	TOSHIBA	13+	TO-92
2SA1220A	3000	NEC	13+	TO-126
MIC811LUY	10000	MICREL	16+	SOT-143
BD9778F-E2	5500	ROHM	16+	SOP-8
PIC18F25K20-I/ML	4553	PUCE	14+	QFN
74LVXC3245MTCX	7500	FAIRCHILD	15+	TSSOP
2SC3964	3000	TOSHIBA	16+	TO-126
2SD1408Y	3000	TOSHIBA	16+	TO-220F
10TPB47M	9000	SANYO	16+	SMD
F931A106MAA	1950	NICHILON	14+	SMD
AM26LS32ACNSR	1600	TI	13+	SOP-16
10TPC68M	9000	SANYO	15+	SMD
10TPB33M	9000	SANYO	15+	SMD
A6251M	5800	SANKEN	11+	DIP-8
A6251M	2230	SANKEN	16+	DIP-8
H1061	3460	FRAPPEZ	14+	TO-220
XC5CSX95T-2FF1136I	100	XILINX	15+	BGA
FSDM0265RN	3460	FAIRCHILD	16+	DIP-8
MOC3083	5588	FSC	16+	IMMERSION
GP1A52HRJ00F	3460	DIÈSE	15+	IMMERSION
PIC24FJ128GB106-I/PT	4173	PUCE	15+	TQFP
C393C	1380	NEC	16+	DIP-8
DS1220AD-100IND+	500	DALLAS	15+	DIP-24
ME15N10-G	5956	MATSU	16+	TO-252
D3SB60	2200	SHINDENGE	14+	TO-220