Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de transistor MOSFET de puissance d'IRFB20N50K double

Number modèle:IRFB20N50K
Point d'origine:Philippines
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:600pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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BULLETIN DE LA COTE


740L60004660FAIRCHILD16+DIP6
AT24C16N-10SC-2.74666ATMEL16+SOP8
BD9897FS4711ROHM15+SSOP32
DS90CR215MTD4711NS16+TSSOP
MAX3223ECAP4711MAXIME15+SSOP20
MP1542DK-LF4711MP12+MSOP-8
TLC271CDRG44711TI16+SOP8
HMC1052L4719HONEYWELL12+QFN-16
DR127-6R8-R4772TONNELIER16+SMD
LM1117MP-54775NS16+SOT-223
TL071CP4777TI16+DIP8
TDA4863G477816+SOP-8
BD4384800St16+TO-126
DS1232LP4800MAXIME14+SOP8
HPR82004800HP16+DIP4
LM2903DR4800TI16+SOP8
LM340T-5.04800NS15+TO-220
LT1070HVCT4800LINÉAIRE16+TO-220
TLE7209-2R480015+SOP20
LT1071CT4850LINÉAIRE12+TQ220
LH1522AB4877VISHAY16+DIP-8
IR2106S4887IR12+SOP8
FMMT5494888ZETEX16+SOT-23
MC7905ACD2TG4888SUR16+3D2PAK
PCA82C251T/N3,118490016+SOP8
2SK35634960TOSHIBA16+TO-220F
MAX485CSA4991MAXIME16+SOP8
74HC4053N499814+IMMERSION
M27C2001-12F14999St16+IMMERSION
24LC16BT-I/SN5000PUCE16+SOP-8
24LC512-I/P5000PUCE15+IMMERSION
2N53085000FAIRCHILD16+TO-92
2SC30755000TOSHIBA15+TO-252
2SK3918-ZK-E15000NEC12+TO-252
6301KSGT5000BROADCOM16+SOP-8
74AUP1G00GM500012+SOT886
74VHCT245AMX5000FAIRCHILD16+CONCESSION
81C55 OKI5000OKI16+IMMERSION
87832-14205000MOLEX16+IMMERSION
ADM485JR5000ANNONCE16+CONCESSION
ADP3338-3.35000L'ADI16+SOT-223
AT28C256-15PU5000ATMEL14+IMMERSION
AT45DB321D-SU5000ATMEL16+SOP-8
AT93C66A-10SU-2.75000ATMEL16+SOP-8
ATTINY13A-PU5000ATMEL15+IMMERSION
BC327-255000PHI16+TO-92
BC846A500015+SOT-23


IRFB20N50K

Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance haute tension de transistor MOSFET de puissance double


CARACTÉRISTIQUES

• Bas résultats de Qg de charge de porte dans la condition simple d'entraînement

• Porte améliorée, avalanche et rugosité dynamique de dV/dt

• Capacité et tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés

• Le bas RDS (dessus)

• Disponible sans d'avance (Pb)


APPLICATIONS

• Alimentation d'énergie de mode de commutateur (SMPS)

• Alimentation d'énergie non interruptible

• Commutation grande vitesse de puissance

• Circuits dur commutés et haute fréquence


China Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de transistor MOSFET de puissance d'IRFB20N50K double supplier

Transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance à haute tension de transistor MOSFET de puissance d'IRFB20N50K double

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