Transistor MOSFET de puissance de N-canal d'appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N
Number modèle:IRFP150N
Point d'origine:La Malaisie
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:6300pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N
Transistor MOSFET de puissance de N-canal
Caractéristiques
• Sur-résistance très réduite - le RDS (DESSUS) = 0.030Ω, VGS = 10V
• Modèles de simulation
- Modèles électriques température compensée de PSPICE™ et de SABER©
- Épice et modèles thermiques d'impédance de SABER©
- www.fairchildsemi.com
• Courant de pointe contre la courbe de durée d'impulsion
• Courbe d'estimation d'UIS
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | PUCE | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | DIÈSE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | PUCE | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
| PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CASSEROLE | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | PUCE | 1636M6G | SOP-8 |
| PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RECHERCHE RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
| PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Capacités absolues comité technique = 25oC, sauf indication contraire
Vidangez la tension de source (note 1)……………………. VDSS 100 V
Vidangez pour déclencher la tension (RGS = 20kΩ) (note 1)……………… VDGR 100 V
Porte la tension de source…………………. ………. VGS ±20 V
Vidangez continu actuel (TC= 25oC, VGS = 10V) (le schéma 2)…. ………… IDENTIFICATION
Continu (TC= 100oC, VGS = 10V) (identification du schéma 2)…………
Courant pulsé de drain……………………. .IDM 44 31
Le schéma 4 une estimation………………… .UIS d'avalanche pulsée par A
Les schémas 6, 14, palladium de dissipation de puissance 15…………………
Sous-sollicitez au-dessus de 25oC…………………… 155 1,03 W W/oC
Opération et température de stockage……… TJ, TSTG -55 175 OC
Température maximale pour les avances de soudure 0.063in (1.6mm) du point de droit pour 10s. …. .TL
Le corps de paquet pour 10s, voient Techbrief TB334……… Tpkg 300 260 OC OC
Transistor MOSFET de puissance de N-canal d'appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N
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