Les composants de l'électronique de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA2222SG ébrèchent l'électronique d'IC
Number modèle:2SA2222SG
Point d'origine:Le Japon
Quantité d'ordre minimum:50pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:55000PCS
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
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Les composants de l'électronique de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA2222SG ébrèchent l'électronique d'IC
Applications
• Conducteurs de relais, conducteurs de lampe, conducteurs de moteur
Caractéristiques
• Adoption du processus de MBIT
• Grande capacité actuelle (IC=--10A)
• Basse tension de saturation de collecteur--émetteur (VCE (s'est reposé) =--250mV (type.))
• Commutation ultra-rapide (tf=22ns (type.))
Une partie du bulletin de la cote
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | PUCE | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | DIÈSE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | PUCE | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
| PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CASSEROLE | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | PUCE | 1636M6G | SOP-8 |
| PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RECHERCHE RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
| PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Capacités absolues
| Caractéristiques | Symbole | Estimation | Unité |
| Tension de collecteur-base | VCBO | -50 | V |
| Tension de collecteur-émetteur | VCEO | -50 | V |
| tension d'Émetteur-base | VEBO | -6 | V |
| Courant de collecteur | IC | -10 | |
| Courant bas | IB | -13 | |
| Dissipation de puissance de collecteur | PC | 25 | mW |
| La température de jonction | Tj | 150 | °C |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | -55 +150 | °C |
Dimensions de paquet
unité : millimètre (type) 7529-002
Les composants de l'électronique de transistor de transistor MOSFET de la puissance 2SA2222SG ébrèchent l'électronique d'IC
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