Transistor de puissance frais du transistor MOS™ de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon du npn SPA04N60C3XKSA1
Number modèle:SPA04N60C3
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8700pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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SPP04N60C3, SPB04N60C3
Données finales SPA04N60C3
Transistor de puissance frais de MOSô
| VDS @ Tjmax | 650 | V |
| Le RDS (dessus) | 0,95 | Ω |
| Identification | 4,5 |
Caractéristique
• Nouvelle technologie haute tension révolutionnaire
• Charge très réduite de porte
• L'avalanche périodique a évalué
• Dv/dt extrême a évalué
• Capacité de courant de pointe élevée
• Transconductance amélioré
• P-TO-220-3-31 : Paquet entièrement d'isolement (2500 VCA ; 1
minute)
P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1
Estimations maximum
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité | |
| SPP_B | STATION THERMALE | |||
Courant continu de drain Comité technique = °C 25 Comité technique = °C 100 | Identification | 4,5 2,8 | 4,51) 2,81) | |
| Le courant pulsé de drain, tp a limité par Tjmax | Puls d'identification | 13,5 | 13,5 | |
| Énergie d'avalanche, identification simple =3.4, VDD =50V d'impulsion | EAS | 130 | 130 | MJ |
| Énergie d'avalanche, goudron répétitif limités par l'identification =4.5A, VDD =50V de Tjmax 2) | OREILLE | 0,4 | 0,4 | MJ |
| Avalanche actuelle, goudron répétitif limité par Tjmax | IAR | 4,5 | 4,5 | |
| Charge statique de tension de source de porte | VGS | ±20 | ±20 | V |
| C.A. de tension de source de porte (f >1Hz) | VGS | ±30 | ±30 | |
| Dissipation de puissance, comité technique = 25°C | Ptot | 50 | 31 | W |
| Opération et température de stockage | Tj, Tstg | -55… +150 | °C | |
Vidangez la pente de tension de source | dv/dt | 50 | V/ns | |
P-TO-220-3-1
P-TO-263-3-2 (D2-PAK)
P-TO-220-3-31 (FullPAK)
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
| MC14536BDWR2G | 6563 | SUR | 16+ | CONCESSION |
| LT5400BCMS8E-4#PBF | 4130 | LINÉAIRE | 16+ | MSOP |
| MC4741CD | 3556 | MOT | 16+ | CONCESSION |
| PIC10F322T-I/OT | 9250 | PUCE | 16+ | IVROGNE |
| MC14584BDR2G | 10000 | SUR | 16+ | CONCESSION |
| LT1014DSW#TRPBF | 8146 | LT | 14+ | SOP-16 |
| MC145152DW2 | 5186 | FREESCAL | 15+ | CONCESSION |
| MC78M05CDTX | 10000 | FAI | 16+ | SOT-252 |
| MBM29F040C-90PD-SFL | 14690 | FUJITSU | 16+ | PLCC |
| L6563TR | 3752 | St | 15+ | SOP14 |
| MUR1560G | 7604 | SUR | 16+ | TO-220 |
| MUR840G | 7300 | SUR | 16+ | TO-220 |
| MMSZ4682T1G | 25000 | SUR | 16+ | SOD-123 |
| MC68HC908QY4ACDWE | 3820 | FREESCALE | 16+ | SOIC |
| MB8431-90LPFQ | 3226 | FUJI | 16+ | QFP |
| MMSZ5246BT1G | 30000 | SUR | 16+ | SOD-123 |
| LM5642MTCX | 1833 | NSC | 14+ | TSSOP-28 |
| PIC16F1829-I/SS | 5263 | PUCE | 16+ | SSOP |
| L4940V12 | 3675 | St | 14+ | TO-220 |
| RA8875L3N | 1200 | RAIO | 15+ | TQFP-100 |
| MB8421-90LPFQ-GE1 | 3165 | FUJI | 14+ | QFP |
Transistor de puissance frais du transistor MOS™ de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darliCM GROUPon du npn SPA04N60C3XKSA1
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