Transistor 19A, 100V, 0,200 ohms, transistors MOSFET de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance IRF9540 de puissance de P-canal
Number modèle:IRF9540
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8600pcs
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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IRF9540, RF1S9540SM
19A, 100V, 0,200 ohms, transistors MOSFET de puissance de P-canal
Ce sont des transistors effet de champ de puissance de porte de silicium de mode d'amélioration de P-canal. Ils sont les transistors MOSFET avancés de puissance conçus, examinés, et garantis pour résister un niveau spécifique d'énergie dans le mode de fonctionnement d'avalanche de panne. Tous ces transistors MOSFET de puissance sont conçus pour des applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs de changement, des conducteurs de moteur, des conducteurs de relais, et des conducteurs pour les transistors de commutation bipolaires de puissance élevée exigeant la puissance grande vitesse et basse d'entraînement de porte. Ils peuvent être actionnés directement partir des circuits intégrés.
Type autrefois développemental TA17521.
Caractéristiques
• 19A, 100V
• le RDS (DESSUS) = 0.200Ω
• L'énergie simple d'avalanche d'impulsion a évalué
• SOA est Power Dissipation Limited
• Vitesses de commutation de nanoseconde
• Caractéristiques de transfert linéaires
• Impédance élevée d'entrée
• Littérature relative - TB334 « directives pour les composants extérieurs de soudure de bti aux panneaux de PC »
Capacités absolues comité technique = 25℃, sauf indication contraire
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | IRF9540, RF1S9540SM | UNITÉS |
| Vidangez la tension de source (note 1) | VDS | -100 | V |
| Vidangez pour déclencher la tension (RGS = 20kΩ) (note 1) | VDGR | -100 | V |
Courant continu de drain Comité technique = 100℃ | Identification | -19 -12 | |
| Courant pulsé de drain (note 3) | IDM | -76 | |
| Porte la tension de source | VGS | ±20 | V |
| Dissipation de puissance maximum (le schéma 1) | Palladium | 150 | W |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire (le schéma 1) | 1 | W/℃ | |
| Estimation simple d'énergie d'avalanche d'impulsion (note 4) | EAS | 960 | MJ |
| Opération et température de stockage | TJ, TSTG | -55 175 | ℃ |
Température maximale pour la soudure Avances 0.063in (1.6mm) du point de droit pour 10s Le corps de paquet pour 10s, voient Techbrief 334 | TL Tpkg | 300 260 | ℃ ℃ |
PRÉCAUTION : Les efforts au-dessus de ceux énumérés dans « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une seule estimation d'effort et l'opération du dispositif ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée.
NOTE : 1. TJ = 25℃ 150℃.
Symbole
Emballage
JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB
Circuits et formes d'onde d'essai
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
| L8581AAE | 2861 | LUCENT | 15+ | SOP16 |
| NUD4001DR2G | 5160 | SUR | 10+ | SOP-8 |
| LM431SCCMFX | 40000 | FAI | 14+ | SOT-23-3 |
| 40TPS12APBF | 2960 | VISHAY | 13+ | TO-247 |
| MMBT5089LT1G | 40000 | SUR | 16+ | SOT-23 |
| MAX8505EEE+ | 8529 | MAXIME | 16+ | QSOP |
| MAX1556ETB+T | 5950 | MAXIME | 16+ | QFN |
Transistor 19A, 100V, 0,200 ohms, transistors MOSFET de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance IRF9540 de puissance de P-canal
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