![China Double transistor MOSFET II de l'ohm TO-220 PowerMESH du N-CANAL 600V 1,8 de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de la puissance IRFBC30] supplier](https://img.everychina.com/nimg/f2/9d/b4922e2036207289a4eaa0c5b6de-300x300-1/double_transistor_mosfet_ii_de_l_ohm_to_220_powermesh_du_n_canal_600v_1_8_de_transistor_de_transistor_mosfet_de_puissance_de_trans.jpg)
Double transistor MOSFET II de l'ohm TO-220 PowerMESH du N-CANAL 600V 1,8 de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de la puissance IRFBC30]
Number modèle:IRFBC30
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:8500pcs
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IRFBC30
N - CANAL 600V - Ω 1,8 - 3.6A - transistor MOSFET de TO-220 PowerMESHTM ΙΙ
| TYPE | VDSS | Le RDS (dessus) | Identification |
| IRFBC30 | 600 V | < 2=""> | 3,6 A |
TO-220
■Ω 1,8 TYPIQUE du RDS (dessus) =
■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt
■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ
■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES
■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM
DESCRIPTION
Le PowerMESHTM ΙΙ est l'évolution de la première génération de la MAILLE OVERLAYTM. Les améliorations de disposition présentées considérablement pour améliorer le facteur de mérite de Ron*area tout en gardant le dispositif au bord d'attaque pour quelles vitesse de changement de soucis, charge de porte et rugosité.
APPLICATIONS
■COMMUTATION FORTE INTENSITÉ ET GRANDE VITESSE
■ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE DE MODE DE SWITH (SMPS)
■CONVERTISSEURS DE DC-AC POUR LES ALIMENTATIONS D'APPAREIL SOUDER ET D'ÉNERGIE NON INTERRUPTIBLE ET LE CONDUCTEUR DE MOTEUR
CAPACITÉS ABSOLUES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 600 | V |
| VDGR | Tension de porte de drain (RGS = kΩ 20) | 600 | V |
| VGS | tension de Porte-source | ± 20 | V |
| Identification | Vidangez actuel (continu) comité technique = le ℃ 25 | 3,6 | |
| Identification | Vidangez actuel (continu) comité technique = le ℃ 100 | 2,3 | |
| IDM (•) | Courant de drain (pulsé) | 14 | |
| Ptot | Dissipation totale comité technique = ℃ 25 | 75 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 0,6 | W/℃ | |
| dv/dt (1) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 3 | V/ns |
| Tstg | Température de stockage | -65 150 | ℃ |
| Tj | La température de jonction de Max. Operating | 150 | ℃ |
(•) Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
(1) ISD ≤3.6 A, ≤ 60 A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de di/dt de VDD de Tj
SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE
DONNÉES TO-220 MÉCANIQUES
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