Puissance complémentaire DarliCM GROUPon Transistors de silicium de transistor de transistor MOSFET de la puissance TIP122
Number modèle:TIP122
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:6800pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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TIP120/121/122
TIP125/126/127
TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLICM GROUPON DE SILICIUM
■STMicroelectronics A PRÉFÉRÉ SALESTYPES
DESCRIPTION
Les TIP120, les TIP121 et les TIP122 sont des transistors de puissance de l'Épitaxial-base NPN de silicium dans la configuration monolithique de DarliCM GROUPon montée en paquet en plastique de Jedec TO-220. Ils intented pour l'usage dans des applications linéaires et commutantes de puissance. Les types complémentaires de PNP sont TIP125, TIP126 et TIP127, respectivement.
CAPACITÉS ABSOLUES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |||
| NPN | TIP120 | TIP121 | TIP122 | |||
| PNP | TIP125 | TIP126 | TIP127 | |||
| VCBO | Tension de collecteur-base (IE = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur (IB = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
| VEBO | SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE (IC = 0) | 5 | V | |||
| IC | Courant de collecteur | 5 | ||||
| Missile aux performances améliorées | Courant de pointe de collecteur | 8 | ||||
| IB | Courant bas | 0,1 | ||||
| Ptot | Dissipation totale au ℃ du ≤ 25 de Tcase ℃ du ≤ 25 de Tamb | 65 2 | W | |||
| Tstg | Température de stockage | -65 150 | ℃ | |||
| Tj | La température de jonction de Max. Operating | 150 | ℃ | |||
TO-220 SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE
Puissance complémentaire DarliCM GROUPon Transistors de silicium de transistor de transistor MOSFET de la puissance TIP122
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