Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFDTU
Number modèle:FGH60N60SFD
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:Négociez
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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FGH60N60SFD
600V, arrêt de champ 60A IGBT
Caractéristiques
• Capacité forte intensité
• Basse tension de saturation : VCE (s'est reposé) =2.3V @ IC = 60A
• Impédance élevée d'entrée
• Commutation rapide
• RoHS conforme
Applications
• Chauffage par induction, UPS, SMPS, PFC
Description générale
Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications de chauffage par induction, d'UPS, de SMPS et de PFC où la basse conduction et les pertes de changement sont essentielles.
Capacités absolues
| Symbole | Description | Estimations | Unités |
| VCES | Collecteur la tension d'émetteur | 600 | V |
| VGES | Porte la tension d'émetteur | ± 20 | V |
| IC | Courant de collecteur @ comité technique = 25℃ | 120 | |
| Courant de collecteur @ comité technique = 100℃ | 60 | ||
| Missile aux performances améliorées (1) | Courant de collecteur pulsé @ comité technique = 25℃ | 180 | |
| Palladium | Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 25℃ | 378 | W |
| Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 100℃ | 151 | W | |
| TJ | La température de jonction fonctionnante | -55 +150 | ℃ |
| Tstg | Température ambiante de température de stockage | -55 +150 | ℃ |
| TL | Temp maximum d'avance. pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes | 300 | ℃ |
Notes : 1 : Essai répétitif, durée d'impulsion limitée par la température maximale de juntion
Dimensions mécaniques
TO-247AB (CODE 001 DE PAQUET DE FKS)
Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFDTU
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