Redresseur intrinsèque rapide de changement du transistor IXFH60N50P3 de transistor MOSFET de puissance
Number modèle:IXFH60N50P3
Point d'origine:Philippines
Quantité d'ordre minimum:20
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:20000
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Redresseur intrinsèque rapide de changement du transistor IXFH60N50P3 de transistor MOSFET de puissance
Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V
Transistor MOSFET de puissance IXFQ60N50P3 Je D25 = 60A
IXFH60N50P3 ≤ 100mΩ du RDS (dessus)
Mode d'amélioration de N-canal
Avalanche évaluée
Redresseur intrinsèque rapide
| Symbole | Conditions d'essai | Estimations maximum |
VDSS VDGR | TJ = 25°C 150°C TJ = 25°C 150°C, RGS = 1MΩ | 500 V 500 V |
VGSS VGSM | Continu Coupure | ± 30 V ± 40 V |
JE D25 JE DM | Comité technique = 25°C Comité technique = 25°C, Pulse Width Limited par TJM | 60 A 150 A |
J'A EAS | Comité technique = 25°C Comité technique = 25°C | 30 A 1 J |
| dv/dt | EST le ≤ IDM, le ≤ VDSS, le ≤ 150°C de VDD de TJ | 35 V/ns |
| Palladium | Comité technique = 25°C | W 1040 |
TJ TJM Tstg | -55… °C +150 °C 150 -55… °C +150 | |
TL Tsold | 1.6mm (0.062in.) du point de droit pour 10s Corps en plastique pendant 10 secondes | °C 300 °C 260 |
| DM | Montant le couple (TO-247 et TO-3P) | 1.13 / 10 Nm/lb.in. |
| Poids | TO-268 TO-3P TO-247 | 4,0 g 5,5 g 6,0 g |
Caractéristiques
Redresseur intrinsèque rapide
Avalanche évaluée
Le bas RDS (DESSUS) et QG
Basse inductance de paquet
Avantages
Densité de puissance élevée
Facile monter
L'épargne d'espace
Applications
Alimentations de Commutateur-mode et d'énergie de Résonnant-mode
Conducteurs de laser des convertisseurs z de DC-DC
Commandes de moteur C.A. et de C.C
Contrôles de robotique et de servo
Fig. 1. caractéristiques de sortie @ TJ = 25ºC Fig. 2. caractéristiques de sortie prolongées @ TJ = 25ºC
Fig. 3. caractéristiques de sortie @ TJ = 125ºC Fig. 4. le RDS (dessus) normalisé valeur identification = 30A contre Jonction La température
Fig. 5. le RDS (dessus) normalisé valeur identification = 30A contre 6. drain maximum actuel contre le cas Drain CurrentFig. La température
Fig. 7. accès d'entrée Fig. 8. Transconductance
Redresseur intrinsèque rapide de changement du transistor IXFH60N50P3 de transistor MOSFET de puissance
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