Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943
Number modèle:2SA1943
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:20pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000pcs
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Shenzhen China
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Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
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Transistors de puissance du silicium PNP 2SA1943
DESCRIPTION
·Avec le paquet de TO-3PL
·Complément pour dactylographier 2SC5200
APPLICATIONS
·Applications d'amplificateur de puissance
·Recommandé pour 100W de haute fidélité
étape de sortie d'amplificateur de fréquence sonore
GOUPILLER
| PIN | DESCRIPTION |
| 1 | Émetteur |
| 2 | Collecteur ; relié montage de la base |
| 3 | Base |
CARACTÉRISTIQUES Tj=25℃ sauf indication contraire
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | MINUTE | TYPE. | Max | UNITÉ |
| PRÉSIDENT DE V (BR) | Tension claque de collecteur-émetteur | IC =-50mA ; IB =0 | -230 | V | ||
| VCEsat | Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC =-8A IB =-0.8A | -3,0 | V | ||
| VBE | Tension d'émetteur de base | IC =-7A ; VCE =-5V | -1,5 | V | ||
| ICBO | Courant de coupure de collecteur | VCB =-230V ; IE =0 | -5 | μA | ||
| IEBO | Courant de coupure d'émetteur | VEB =-5V ; IC =0 | -5 | μA | ||
| hFE-1 | Gain actuel de C.C | IC =-1A ; VCE =-5V | 55 | 160 | ||
| hFE-2 | Gain actuel de C.C | IC =-7A ; VCE =-5V | 35 | |||
| pi | Fréquence de transition | IC =-1A ; VCE =-5V | 30 | Mégahertz | ||
| ÉPI | Capacité de sortie de collecteur | f=1MHz ; VCB =-10V | 360 | PF |
classifications du hFE-1
| R | O |
| 55-110 | 80-160 |
CONTOUR DE PAQUET
Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943
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