Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP

Number modèle:BC557A
Point d'origine:Usine originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:20000pcs
Délai de livraison:1 jour
Contacter

Add to Cart

Membre actif
Shenzhen China
Adresse: Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
dernière connexion fois fournisseur: dans 48 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

Caractéristiques


•? Finition sans plomb/RoHS conforme (le suffixe de « P » indique

RoHS conforme. Voir l'information de commande)

•? la température de jonction de 150o C

• Par le paquet de trou

• L'époxyde rencontre l'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94

• Niveau 1 de sensibilité de Moisure

• Inscription : Type nombre


Données mécaniques


? • Cas : TO-92, plastique moulé

• Polarité : indiqué en tant que ci-dessous.


Estimations maximum @ 25o C sauf indication contraire


CharateristicSymboleValeurUnité

Tension de collecteur-émetteur BC556

BC557

BC558

VCEO

-65

-45

-30

V

Tension de collecteur-base Because556

BC557

BC558

VCBO

-80

-50

-30

V
Tension d'Émetteur-baseVEBO-5,0V
Courant de collecteur (C.C)IC-100mA
Puissance Dissipation@TA =25°CPalladium

625

5,0

mW

mW/°C

Puissance Dissipation@TC =25°CPalladium

1,5

12

mW

mW/°C

Résistance thermique, jonction l'air ambiantR JA200°C/W
Résistance thermique, jonction enfermerR JC83,3°C/W
Opération et température de stockageTj, TSTG-55~150°C

China Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP supplier

Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP

Inquiry Cart 0